WWW.KNIGA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, пособия, учебники, издания, публикации

 

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ТВЕРСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

УДК 537.226.4

Код ГРНТИ

«УТВЕРЖДАЮ»

Ректор Тверского государственного университета д.ф.-м.н., Белоцерковский А.В.

_ «16» декабря 2013 г.

М.П.

ОТЧЕТ По программе стратегического развития федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Тверской государственный университет» на 2012-2014 гг.

по проекту № 2.1.1. «Решение комплексных проблем по направлению "Функциональные кристаллические и композитные материалы и их применение для приборостроения на основе новых физических принципов" на базе лабораторий кристаллизации, магнитоэлектроники и твердотельной электроники ТвГУ» (НИР) вид отчета: годовой Руководитель НИР: Каплунов И.А.

г. Тверь 2013 г.

СПИСОК ИСПОЛНИТЕЛЕЙ

Руководитель НИР ФИО Профессор, д.т.н. Каплунов И.А.

подпись, дата Исполнители Профессор, д.ф.-м.н.

Малышкина О.В.

подпись, дата Профессор, к.ф.-м.н.

Гречишкин Р.М.

подпись, дата Доцент, к.ф.-м.н.

Колесников А.И.

подпись, дата М.н.с.

Малышкин Ю.А.

подпись, дата Старший преподаватель Третьяков С.А.

подпись, дата Барабанова Е.В.

Н.с., к.ф.-м.н.

подпись, дата

РЕФЕРАТ

Отчет 48 с., 2 ч., 18 рис., 2 табл., 41 источников, 2 приложения Ключевые слова: Фотоника, акустооптика, оптоэлектроника, монокристаллы парателлурита, монокристаллы германия, коэффициент отражения, антиотражающая структура, микрорельеф, пьезоэлектрическая керамика, поляризация, пироэлектрический эффект, градиент физических свойств, многослойные пьезокерамические структуры, коэффициент тепловой диффузии, тепловые волны, магнитоэлектроника, магнитострикция.

Объект исследования: Функциональные кристаллические и композитные материалы.

Цель работы:

Совершенствование технологий выращивания монокристаллов и изготовления элементов оптоэлектронных устройств с предельно высокими структурными и оптическими характеристиками Разработка и практическая реализация методов неразрушающего контроля функциональных монокристаллов, магнито- и сегнетоактивных материалов и гетероструктур для микро- и наноэлектроники;





Методы (методология) проведения работы:

1. Методы математического моделирования процессов взаимодействия световых потоков с поверхностями оптически прозрачных материалов, имеющих заданную форму профиля.

2. Оптические методы исследования: гониометрия, микроскопия.

3. Методы исследования физических свойств и качества поверхности: растровая электронная микроскопия (РЭМ), атомно-силовая микроскопия (АСМ), интерференционная профилометрия.

3. Методы диэлектрической спектроскопии.

4. Пироэлектрические методы исследования.

5. Методические материалы согласно ГОСТ 7.32-2001, ГОСТ Р 15.011-96, ГОСТ 27124-86, ГОСТ 8.472-82 и ОСТ 11 0444-87; Государственная система обеспечения единства измерений. Эталоны. Способы выражения погрешностей.

6. Электронные библиотеки в интернете (Scopus, Sciencedirect, Informawold, Prola, IPAP, Ioffe и др.) Тема 3 этапа:

Исследование новых возможностей применения функциональных кристаллических и композитных материалов в приборостроении.

Результаты работы:

1 Характеристика работы: Основные результаты работы:

- новизна результатов технические преимущества разработанного способа работы; раздельного определения вероятностей рассеяния и - описание особенностей поглощения фотонов в оптических элементах из проведения работы в кристаллов полупроводников и диэлектриков.

отчетном периоде. - Установлены оптические параметры кристаллов 2 Области и масштабы Направления использования:

использования - Создание новых образцов устройств лазерной полученных результатов: техники с повышенными энергетическими и - направления спектральными характеристиками, в частности, использования; разработка акустооптических адаптивных - практическое дисперсионных линий задержки, улучшающих использование чирпированную структуру импульсного излучения полученных результатов; сверхмощных фемтосекундных лазеров;

- социально- - Усовершенствование конструкций и повышение экономический эффект антиотражающих характеристик специальных - Создание механически гибкого магнитоэлектрического преобразователя с предельно простой 3 Ресурсы:

- финансовые (сколько - материальнотехнические (какие и на 6 ППС, молодых ученых, аспирантов, студентов, затраченные на выполнение поставленных целей и 4 Проблемы, возникшие В ходе выполнения НИР проблемы не возникали при реализации НИР и пути их решения документов на результаты интеллектуальной деятельности, полученных в рамках реализации проекта (не менее 3-х ежегодно) Количество планируемых к защите диссертаций на ед. 1 соискание ученой степени кандидата и доктора наук, подготовленных в рамках реализации проекта в том числе:

ВАК (не менее 2-х на каждого исполнителя проекта ед.





ежегодно) (не менее 2-х на каждого исполнителя проекта ед.

ежегодно) Прогнозные предположения о развитии объекта исследования:

Прогнозируется развитие тематик исследований, связанных с:

– функциональными возможностями, обусловленными использованием кристаллов германия и парателлурита с предельно высоким совершенством структуры (низкой плотностью дислокаций, малыми концентрациями примесей) и идеальной оптической однородностью. В ходе соответствующих экспериментов предполагаются измерения характеристик устройств, в состав которых должны входить элементы, изготовленные из крупногабаритных кристаллов с рекордно высокими показателями структурного совершенства и оптической однородности;

– решением научно-технической проблемы создания новых комплексных методов диагностики функциональных материалов, обладающих сочетанием пироэлектрических и теплофизических свойств, необходимым для инновационных разработок сенсоров и приводов на основе нано- и микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС), более эффективных по сравнению с известными устройствами; поиска физических основ, развития и апробации метода контроля пироэффекта и коэффициента тепловой диффузии нанотолщинных сегнетоэлектрических плёнок, испытание которых с помощью известных методов, разработанных для массивных материалов, становится труднодостижимым или невозможным.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………...……………….. 1. Результаты исследований новых функциональных возможностей микроструктурированными поверхностями.……………………….…………. 1.1 Испытания нового способа раздельного определения вероятностей рассеяния и поглощения фотонов в кристаллах полупроводников и диэлектриков………………………………………………………………….11 1.2 Установление оптических параметров кристаллов с минимальными концентрациями дефектов структуры……………………………………… магнитоактивных кристаллических функциональных материалов в электроники………………………………………………

2.1 Сегнетоэлектрические кристаллы как датчики для определения коэффициента тепловой диффузии тонких диэлектрических пленок... 2.2 Определение динамических характеристик пылевых частиц с использованием пьезоэлектрического детектора………………………. 2.3 Магнитоэлектрические композиты на основе нанокристаллических магнитострикционных быстрозакалённых лент и пьезоволокнистых плёнок……………………………………………………………………... ЗАКЛЮЧЕНИЕ………………………………………………………………... СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ………………………..

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПЕРЕЧЕНЬ ПУБЛИКАЦИЙ, ИЗДАННЫХ В РАМКАХ

РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЕКТА……………………………………………………...

ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ЗАЯВКИ, ОХРАННЫЕ ДОКУМЕНТЫ НА

РЕЗУЛЬТАТЫ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ, ПОЛУЧЕННЫЕ

В РАМКАХ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЕКТА……………………………………….

ВВЕДЕНИЕ

Тенденции современного развития приборостроения в таких областях как оптоэлектроника, нелинейная оптика, лазерная техника, акустооптика, объединяемых общим термином «фотоника», заключаются в постоянном повышении наиболее важных характеристик соответствующих устройств.

Такими характеристиками являются мощность импульсов, быстродействие, разрешающая способность, число разрешаемых в пространстве позиций лазерного луча, рабочий спектральный диапазон, спектральная чувствительность, угловая апертура, отношение сигнал/шум, поляризационный контраст и т.д. Эти же тенденции характерны и для развития устройств классической оптики (конфокальная микроскопия, преодоление «дифракционного предела»), тепловизионной ИК техники. Как правило, главным препятствием, минимизирующим продвижение по этому пути, являются несовершенства – дефекты структуры различных размерностей, обнаруживающиеся при выращивании монокристаллов основного материала для пассивных и активных элементов большинства оптических, оптоэлектронных и лазерных устройств. Миниатюризация (уменьшения массы, габаритов, и, как следствие, понижение потребляемой мощности) элементов микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС) требует разработки новых методов диагностики, позволяющих тестировать соответствующие материалы; разработки компактных и пластичных датчиков, сочетающих в себе различные физические свойства.

Беспрецедентный расцвет технологий получения и применения в приборостроении композитных материалов, материалов с памятью формы и вообще функциональных материалов, наблюдающийся в последние 10- лет, также сопровождается резким повышением требований к свойствам и параметрам используемых материалов.

В настоящем отчете представлены результаты исследований новых возможностей применения кристаллических материалов (германий, пироэлектрическими, пьезоэлектрическими и магнитными свойствами в приборостроении.

работоспособности и преимуществ нового способа раздельного определения вероятностей рассеяния и поглощения фотонов в кристаллах, основы которого разработаны на предшествующих этапах НИР. Способ позволяет существенно повысить точность метрологических измерений оптических параметров кристаллов. Приведены измеренные оптические параметры кристаллов германия и парателлурита с чрезвычайно высоким – близким к предельному - структурным совершенством. Рассмотрены возникающие в связи с наличием таких кристаллов новые возможности из применения в акустооптической, лазерной технике и инфракрасной оптике.

В П.2 представлены результаты анализа применения сегнето- и магнитоактивных функциональных материалов в интеллектуальных устройствах и приборах твердотельной электроники: рассмотрена методика использования пироэлектрических свойств сегнетоактивных материалов для определения тепловых характеристик тонкопленочных диэлектриков;

возможные использования пьезоэлектрических свойств разбираются в двух аспектах – для возможной работы в космических условиях в качестве датчиков, позволяющих анализировать динамические характеристики космической пыли, и в комбинации с магнитоактивными пленками – для реализации вольтаического управления параметрами магнитной анизотропии и тестирования наличия магнитных полей в местах, труднодоступных для объемных датчиков.

1. Результаты исследований новых функциональных возможностей элементов из кристаллов и композитных материалов с нано и микроструктурированными поверхностями 1.1 Испытания нового способа раздельного определения вероятностей рассеяния и поглощения фотонов в кристаллах полупроводников и диэлектриков. В соответствии с теорией, разработанной на предыдущем этапе НИР, предложен способ определения вероятностей рассеяния и поглощения фотонов в кристаллах. Данный способ был испытан при определении этих параметров на кристаллах германия и парателлурита, выращенных способом Чохральского. Ниже приведены результаты испытаний.

Пример 1. Определение вероятностей поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути в кристалле парателлурита TeO2 для длин волны излучения 535нм.

В качестве исследуемого материала были использованы образцы, вырезанные из крупногабаритного монокристалла парателлурита, выращенного способом Чохральского и имеющего диметра 66 мм и высоту 45 мм.

Из части кристалла был вырезан и отполирован по классу P II шарик диаметром 8 мм с шестью попарно ортогональными площадками (рис.1), через которые вводился луч лазера с длиной волны излучения 535 нм. С помощью измерителя лазерной мощности определялась индикатриса рассеяния – зависимость интенсивности рассеяния от угла рассеяния, которая соответствовала рэлеевской индикатрисе ps Далее из кристалла был вырезан и отполирован по классу P II цилиндрический образец диаметром D=60 мм и толщиной вдоль оси [110] h1 =30 мм. После разрезания исходного образца и полировки толщины образовавшихся частей составляли h2 =16 мм и h3 =12 мм. У исходного и одного из меньших образцов измерялись коэффициенты пропускания T1 и T света лазера с длиной волны излучения =535 нм по схеме, в которой фотоприемником служил измеритель лазерной мощности (Laser Power Meter.

PHOTON Inc.).

Рисунок 1 – Отполированный шарик диаметром 8 мм, изготовленный из кристалла парателлурита и предназначенный для измерения индикатрисы рассеяния света.

Для расчета величины pa и ps методом моделирования траекторий фотонов использовались следующие значения параметров:

Результаты компьютерного расчета зависимостей ps pa представлены на рис.2. Искомые вероятности поглощения и рассеяния на пути 1 см в кристалле найдены по точке пересечения двух графиков и равны, соответственно, pa =0,003 и ps =0,012.

Рисунок 2. – Зависимости вероятностей рассеяния ps от вероятностей поглощения pa фотонов на 1 см, дающего экспериментально измеренные коэффициенты пропускания света с длиной волны 535 нм двумя образцами с различной толщиной, вырезанными из одного кристалла парателлурита.

Пример 2. Определение вероятностей поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути в кристалле германия для длины волны излучения 10,6 мкм.

В качестве исследуемого материала были использованы образцы вырезанные из монокристалла германия, выращенного из расплава в направлении [111] способом Чохральского (рис.3) и имеющего диаметр мм и высоту 330 мм.

Рисунок 3. – Монокристалл германия, использованный при определении вероятностей поглощения и рассеяния фотонов цилиндрический образец диаметром D=64 мм с толщиной вдоль оси [111] h1 =80 мм. индикатриса рассеяния p материала определялась для длины волны =10,6 мкм экспериментально методом ФРЛ (функции рассеяния линии) [1, 2]. Она имела вид, представленный на рис.4 и соответствовала индикатрисе малоуглового рассеяния Ми с несколькими максимумами и минимумами.

Рисунок 4. – Вид индикатрисы рассеяния света с длиной волны 10,6 мкм кристаллом германия При компьютерных расчетах индикатриса была аппроксимирована наиболее точно полиномами Лежандра согласно выражению:

Далее исходный образец разрезался, и после повторной полировки толщины образовавшихся частей составляли h2 =38 мм и h3 =11 мм. У исходного и после разрезания у одного из меньших образцов измерялись коэффициенты пропускания света T1 и T2 с помощью инфракрасного моделирования траекторий фотонов использовались следующие значения параметров:

S1 =15 мм S2 =15 мм Результаты компьютерного расчета зависимостей ps pa представлены на рис.5. Искомые вероятности поглощения и рассеяния на пути 1 см в кристалле найдены по точке пересечений двух графиков и раны, соответственно, pa =0,0045 и ps =0, Рисунок 5. – Зависимости вероятностей рассеяния ps от вероятностей поглощения pa фотонов на 1 см, дающие экспериментально измеренные коэффициенты пропускания света с диной волны 10,6 мкм двумя образцами с различной толщиной, вырезанными из одного кристалла германия.

Успешные результаты испытаний дали основания для подачи заявки на изобретение со следующей формулой.

Способ раздельного определения вероятностей поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути в твердых оптических материалах, включающий облучение материала источником направленного излучения, измерение индикатрисы рассеяния света материалом, измерение коэффициентов пропускания света двумя образцам материала с различной толщиной, отличающийся тем, что с целью повышения точности определения измеряемых характеристик расчет вероятностей поглощения и рассеяния проводят с помощью компьютерного моделирования траекторий фотонов в материале и находят зависимости вероятностей рассеяния от вероятностей поглощения, соответствующие измеряемым экспериментально коэффициентам пропускания света у обоих образцов, а их истинные значения определяют по точке пересечения этих зависимостей, в которой обе вероятности – поглощения и рассеяния – не равны нулю.

1.2 Установление оптических параметров кристаллов с минимальными концентрациями дефектов структуры.

1.2.1 Оптические параметры кристаллов германия с малой плотностью дислокаций.

Отрицательная роль линейных дефектов структуры – дислокаций, существенно ухудшающих оптическое качество полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, широко известна [3–6]. Плотность дислокаций Nd в интервале 3·104 - 5·104 см-2 считается относительно малой и приемлемой для оптических монокристаллов германия. Ряд усовершенствований технологий выращивания германия из расплава способом Чохральского и направленной кристаллизации, осуществленных в ходе настоящей НИР, позволил получить кристаллы германия с рекордно малыми плотностями дислокаций Nd = 7·103 - 2·104 см-2.

Исходным сырьем для получения монокристаллов являлся германий поликристаллический зонноочищенный (марки ГПЗ по ОСТ 48-293-85) с удельным электрическим сопротивлением более 47 Ом·см (при температуре 22–24°С). Среднее значение суммарной концентрации электроактивных примесей в сырье составляло (3–12)·1011см-3 при подвижности носителей заряда (3–4)·104 см2·В·с. (при температуре 77К). В качестве легирующей примеси использовалась сурьма марки СУ0000 по ГОСТ 1089. После выращивания из кристаллов были вырезаны, рентгеновскими методами сориентированы, отшлифованы и отполированы по классу PIV оптические элементы. Элементы, вырезанные из смежных объемов одних и тех же кристаллов попарно исследовались – один подвергался селективному химическому травлению с целью выявления дислокаций и подсчета их плотности, с другими проводились измерения основных оптических параметров.

В результате исследований дислокационной структуры были выявлены кристаллы германия с рекордно малой плотностью дислокаций.

Протравленная поверхность одного из таких кристаллов с выходами дислокационных ямок на плоскости (111) представлена на рис. Рисунок 6. – Дислокационные ямки травления на профилированной поверхности кристалла германия (со средней плотностью дислокаций 9·102 см-2), выращенного способом направленной кристаллизации. а – оптическая, б – растровая электронная микроскопия В ТЗ настоящей НИР были ориентировочно оценены возможные для кристаллов германия улучшенные оптические параметры – коэффициент рассеяния KS – не более 3,5%, а также показатель экстинкции (ослабления) света э – не более 2·10-2 см-1. Как следует из результатов измерений, проведенных спектрофотометрическим методом согласно новому способу, изложенному в П.1.1 отчета, указанные оптические параметры малодислокационных кристаллов германия были не только достигнуты, но и существенно превышены. Коэффициенты рассеяния в кристаллах толщиной до 50 мм были не более 0,7%, а показатель экстинкции для наиболее важной в практическом отношении длины волны 10,6мкм ни в одном из образцов не превышал 1,3·10-2 см-1.

оптимизации приборных характеристик современных оптических и оптоэлектронных устройств на основе монокристаллов германия. В частности, применение малодислокационного германия в качестве материала для входных окон и (или) линз объективов тепловизионных устройств позволит увеличить их чувствительность (снизить порог обнаружения), повысить спектральную чувствительность и дальность обнаружения объектов. Использование таких кристаллов германия в акустооптике в качестве материала для СЗП (светозвукопроводов) изотропных АОД (двухкоординатных дефлекторов излучения лазеров на СО2 с длиной волны 10,6 мкм) – позволит увеличить число разрешаемых в пространстве позиций сканируемого лазерного луча, увеличить быстродействие АОД, а также уменьшить выделения тепла в оптических элементах дефлекторов, что создаст предпосылки для применения более мощных лазеров и, как следствие, увеличить дальность действия дефлекторов ИК диапазона.

1.2.2 Оптические параметры кристаллов парателлурита с малой плотностью дислокаций и низкими концентрациями примесей.

Наиболее крупные и наилучшие по структурному совершенству и оптической однородности монокристаллы парателлурита (тетрагональной модификации диоксида теллура -ТеО2) в настоящее время выращиваются из расплава способами Бриджмена-Стокбаргера [7] и Чохральского [8–14], причем последний способ более распространен, поскольку були, вытягиваемые со свободной межфазной границы, отличаются меньшими остаточными механическими напряжениями по сравнению с булями, сжимаемыми стенками контейнера при охлаждении и кристаллизации расплава. Уровень структурного совершенства парателлурита, являющегося одним из главных материалов для изготовления светозвукопроводов акустооптических устройств, предназначенных для работы в спектральном диапазоне 0,36-5,5 мкм, на сегодняшний день соответствует (у наиболее успешных производителей) следующим значениям основных параметров, характеризующих дефекты кристаллической решетки:

- Плотность дислокаций – 3·103-5·104;

- Концентрация посторонних примесей – менее 107.

Информация о связи между дефектами структуры и оптическими, а иногда и акустическими аномалиями в кристаллах парателлурита представлена достаточно полно в публикациях [14–23]. Вытекающие из данных указанных работ выводы заключаются в необходимости дальнейшей оптимизации ростовых технологий, и в первую очередь – в создании условий роста, обеспечивающих снижение концентраций неконтролируемых посторонних примесей, а также уменьшение плотности дислокаций в кристаллах парателлурита хотя бы в несколько раз.

Исходя из известного максимального на сегодняшний день мирового уровня структурного качества этих кристаллов, в ТЗ настоящей НИР были сформулированы цели и задачи, касающиеся усовершенствований ростовой технологии, а также значений основных оптических параметров, которые предполагалось достичь у парателлурита с более совершенной кристаллической структурой.

Модифицированным способом Чохральского из исходного сырья с суммарной концентрацией примесей не более 2·10-6 были выращены в направлении [110] крупногабаритные монокристаллы парателлурита – диаметром до 76 мм и высотой до 60 мм, один из которых представлен на рис.7.

Далее из буль парателлурита были изготовлены попарно (вырезаны, сориентированы на рентгеновском дифрактометре, отшлифованы и отполированы по классу PIII) элементы из смежных объемов одного и того же кристалла. Один из таких парных элементов подвергался селективному последующего расчета плотности дислокаций, а у другого измерялись основные оптические параметры.

Рисунок 7. Крупногабаритный монокристалл парателлурита с малой плотностью дислокаций – 7·102 см-2 и низкой суммарной концентрацией примесей – 5·10-7.

парателлурита, выращенных согласно оптимизированной технологии, имеются значительные (до 85% от объемов) области материала с рекордно малой плотностью дислокаций – вплоть до значений (5–6)·102 см-2.

Протравленная поверхность образца, вырезанного из малодислокационного кристалла парателлурита представлена на рис.8.

Рисунок 8 – Ямки травления на поверхности монокристалла парателлурита с малой плотностью дислокаций Nd = 0,8103 см- В качестве ориентировочных, предварительных значений оптических параметров, которые предполагалось достичь при выполнении НИР, фигурировали:

- оптический поляризационный контраст – 2,3·104-2,7·104;

- аномальная оптическая двуосность – не более 5 угловых минут;

- показатель экстинкции (ослабления) света – не более 1,5·10-2.

При проведении измерений этих и других оптических параметров в кристаллах с малой плотностью дислокаций и низкими концентрациями посторонних примесей было установлено, что предварительные оценки качества кристаллов с улучшенным структурным совершенством были занижены, и в действительности оптическое качество полученных образцов выше, чем предполагалось. Достигнутые значения основных оптических характеристик парателлурита составляют:

- оптический поляризационный контраст – 3·105;

- аномальная оптическая двуосность – не более 3 угловых минут;

- показатель экстинкции (ослабления) света – 0,7·10-2 см-1;

- класс по рассеянию света – «А»;

- однородность показателей преломления – не хуже 5·10-5;

- коэффициент эллиптичности поляризации пучка лазерного излучения – не менее 40.

кристаллов парателлурита, выращиваемых согласно улучшенной технологии, открывает дополнительные возможности для использования таких кристаллов в акустооптических устройствах нового поколения – АОДЛ (акустооптических дисперсионных линиях задержки), широкоапертурных электронно-перестраиваемых фильтрах излучений и изображений, акустооптических процессорах, предназначенных для анализа ВЧрадиосигналов, и, наконец, в дефлекторах лазерного излучения, назначение которых – наведение УРО (управляемого ракетного оружия) на цели по лучу, а также создание движущихся изображений на больших экранах. При этом акустооптических устройств перечисленных типов.

магнитоактивных кристаллических функциональных материалов в интеллектуальных устройствах и приборах твердотельной электроники 2.1 Сегнетоэлектрические кристаллы как датчики для определения коэффициента тепловой диффузии тонких диэлектрических пленок определения коэффициента тепловой диффузии тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов. Рассмотрим модификацию данного подхода для определения коэффициента тепловой диффузии тонких диэлектрических пленок не обладающих сегнетоактивными свойствами.

Как отмечено авторами [24], в случае прямоугольной модуляции теплового потока, падающего на однородно поляризованный сегнетоэлектрический образец, пироотклик повторяет форму тепловых импульсов, когда частота модуляции много больше обратного времени термической релаксации [25]. Рассмотрим, как измениться форма пироотклика, если на однородно поляризованный сегнетоэлектрический кристалл нанести диэлектрический слой (рис. 9).

Рисунок 9. – Схематическое изображение системы пленка-подложка. 1 – диэлектрическая пленка, 2 – сегнетоэлектрическая подложка.

Обозначим цифрой 1 – диэлектрическая слой (пленка), d – толщина пленки;

цифрой 2 – сегнетоэлектрический кристалл (подложка), толщина подложки – h = (l – d), l – толщина всей системы. Формула для расчета формы пироэлектрического тока сегнетоэлектрической подложки, на которую нанесена диэлектрическая пленка, имеет следующий вид [26]:

где Isubstr - пироэлектрический ток сегнетоэлектрической подложки (2), S – площадь освещаемой поверхности (м2), o – коэффициент поглощения падающего излучения поверхностью образца, Wo – плотность мощности сегнетоэлектрической подложки (Дж/кг·К),, =2f, f – частота модуляции теплового потока (Гц), – длительность светового промежутка импульса (с), k1 и k2 – коэффициенты теплопроводности диэлектрической пленки и сегнетоэлектрической подложки, соответственно (Вт/м·K), H1 4 0T0 / k – характеризует потери на излучение, – постоянная Стефана-Больцмана m (1 i ) n / 2 m, m=1, 2; 1 и 2 – коэффициенты тепловой диффузии диэлектрической пленки и сегнетоэлектрической подложки, соответственно (м/с2).

На рис.10 показано рассчитанные по формуле (1) формы пироотклика сегнетоэлектрической подложке при различных коэффициентах тепловой диффузии пленки. Коэффициент тепловой диффузии подложки имеет порядок 10-7 м2/с. Частота модуляции теплового потока f =10 Гц. За единицу выбрана величина пиротока с подложки без верхнего дополнительного слоя.

Рисунок 10. – Зависимость формы пироотклика системы от соотношения толщины диэлектрической пленки к сегнетоэлектрической подложке при различных коэффициентах тепловой диффузии пленки: (а) – 1=10-5 м2/с, (б) – 1 = 10-7 м2/с, (в) – 1=10-9 м2/с поверхности однородно поляризованного сегнетоэлектрического материала не сегнетоэлектрического слоя приводит к отличию формы пироотклика от определяется величиной коэффициента тепловой диффузии пленки при одном и том же соотношении d/h. С увеличением толщины пленки наблюдается уменьшение амплитуды импульса пиротока, скос сигнала в начале импульса затягивается во времени. Когда коэффициент тепловой диффузии равен 1 = 10-5 м2/с, что соответствует металлическим материалам, во всем выбранном диапазоне соотношений d/h, пироотклик остается в фазе с падающим на образец тепловым потоком (рис.10,а). Для диэлектрических пироотклик будет иметь треугольную форму, с уменьшенной в два раза амплитудой сигнала и смещением по фазе, по сравнению с пирооткликом без пленки (рис. 10, б). Уменьшение соотношения d/h ведет к исчезновению сдвига фаз и приближению к прямоугольной формы сигнала (рис. 10,б).

коэффициент тепловой диффузии которой равен 1 =10-810-9 м2/с, что соответствует, например, полимерным материалам, представлена на рис.10,в.

Сдвиг фаз исчезает при d/h = 1/50, и форма пироотклика при этом становиться близкой к прямоугольной.

Апробация метода проводилась на неотожженной пленке ЦТС (толщиной 20 мкм и площадью 25 мм2), нанесенной на кристалл танталата лития (LiTaO3, толщиной 440 мкм и площадью 100 мм2), со сплошным Ni/Cr электродом (толщиной 100 нм). Неотожженная пленка ЦТС не обладает спонтанной поляризацией, т.е. ее можно рассматривать, как диэлектрическую пленку.

Пленка ЦТС освещалась прямоугольно модулированным потоком излучения частотой 10 Гц, источником которого являлся ИК-лазер ( = 920 – осуществлялась с помощью функционального генератора сигналов (SFGПироэлектрический сигнал с танталата лития усиливался преобразователем ток-напряжение, выполненным на базе операционного усилителя (AD822 с полосой пропускания до 20 кГц), и регистрировался с помощью цифрового двухканального запоминающий осциллографа GDSполоса пропускания до 100 МГц; 8 бит; частота дискретизации 1ГГц на канал).

Частота модуляции выбиралась, таким образом, чтобы пироотклик с танталата лития без пленки был прямоугольным. Прямоугольность формы пироотклика зависит от тепловых характеристик материала и технических характеристик операционного усилителя. Согласно тепловым условиям [27], прямоугольность пироотклика обеспечивается следующим неравенством для частоты модуляции теплового потока:

Чтобы в начальный момент импульса отсутствовал скос сигнала необходимо выполнение следующего условия:

где oy - постоянная времени операционного усилителя.

Для вычислений по формуле (1) формы пироэлектрического отклика кристалла танталата лития с нанесенной на поверхность пленкой ЦТС использовались следующие тепловые характеристики: коэффициент теплопроводности керамики ЦТС – k1=0,8 Вт/м·K [27], для кристалла LiTaO – с = 3,2·106 Дж/м3·К [28]. Разброс значений коэффициента тепловой диффузии кристалла танталата лития, представленного в литературе составляет =712·10-7 м2/с [29–31]. Импульсным методом с использованием пироэлектрического детектора [32] нами была установлена величина коэффициента тепловой диффузии LiTaO3, равная 2=7,9·10-7 м2/с. С учетом соотношения k c, связывающего тепловые характеристики материала получаем величину теплопроводности для кристалла танталата лития k2=2, Вт/м·K.

Формы пироэлектрического сигнала с кристалла танталата лития, на поверхность которого нанесена неотожженная пленка ЦТС, рассчитанные по формуле (1) и полученные экспериментально, представлены на рис.11.

Наблюдаемое уменьшение средней величины амплитуды пиротока кристалла танталата лития с пленкой по сравнению с пиротоком кристалла без пленки, можно объяснить поглощением части падающего излучения пленкой.

Рисунок 11. – Сравнение расчетных (а) и экспериментальных (б) форм пироотклика LiTaO3 без пленки (кривая 1) и с пленкой ЦТС (кривая 2), d/h 1/20.

использованием пьезоэлектрического детектора.

Одно из применений датчиков на основе пьезокерамики это возможность измерения давления, силы и удара или вибрации и ускорения. В данном направлении представляет интерес изготовление датчика удара, позволяющего фиксировать пылевые частицы в условиях разреженной атмосферы (на Луне, спутниках Марса и др. небесных телах) и оценивать их Пьезоэлектрический преобразователь, работающий в режиме прямого пьезоэффекта, реагирует на воздействие внешней силы, на выходе измеряемой величиной является электрическое напряжение (U), которое зависит не только от величины механического воздействия (F), но и от свойств измерительной схемы. Снимаемые на выходе измерительной цепи показания, таким образом, зависят от многих факторов и для определения взаимнооднозначного соответствия между измеряемой величиной U и называемой в данном случае тарировка.

В работе предложен метод тарировки пьезокерамических ударных датчиков с использованием многослойных резонаторов. Оптимальным материалом для датчиков является ЦТС-36П – пьезокомпозит со связностью 3-0, обладающий наибольшей пьезочувствительностью среди серийно выпускаемых на производстве ОАО «НИИ Элпа» аналогов. Пористость (23– 26)% уменьшает плотность и повышает отношение d33/33o.

Теоретическая основа метода состоит в том, что в нем не используется земное притяжение. Возникающий при механическом воздействии заряд Q не зависит от размеров (S –площадь, h – высота) пьезокерамического элемента, и для датчиков, использующих деформации «сжатия-растяжения»

определяется по формуле Q=Fdij, где F – сила, dij – величина пьезомодуля, в большинстве случаев для пьезокерамических датчиков это пьезомодуль dij = d33. Поскольку емкость рабочего тела датчика C ~ k33, где 33 – диэлектрическая проницаемость пьезоэлектрического материала, k – коэффициент, определяемый его геометрией, то разность потенциалов U, возникающая на электродах рабочего тела датчика и равная U=Q/C, пропорциональна действующей на датчик силе: U ~ Fkd33/33.

Рисунок 12. – Схема соединения многослойного пьезорезонатора (1) и тарируемого датчика удара (2) – пластины керамики ЦТС В эксперименте (рис.12) многослойный пьезоэлемент–резонатор жестко соединен плоскостью 6х6 с рабочим пьезоэлементом 2.

Многослойный пьезоэлемент (размером 6х6х2,7 мм, массой m = 0,8·10-3 кг) состоит из 50 слоев пьезокерамической пленки толщиной h =50 мкм, расположенными между металлическими электродами толщиной 35 мкм;

слои соединены электрически параллельно, а механически последовательно.

Рисунок 13. – Зависимость величины выходного напряжения от места попадания шарика Крепление пьезоэлемента–резонатора производилось в разных местах датчика. Обнаружено, что отклик на внешнее воздействие центральных областей больше, чем с крайних. Это соответствует расчетам зависимости величины выходного напряжения от места удара (рис.13), проведенным на основе статистических данных по экспериментам с металлическим шариком, который кидался в разные места пластины пьезодатчика с помощью электромагнита.

Перемещение центра тяжести пьезоэлемента относительно его первоначального положения начинается со скорости Vo = 0 и заканчивается при скорости V=a, где a – ускорение а – время движения центра тяжести, его можно характеризовать как время, за которое происходит изменение размеров пьезоэлемента. При подаче напряжения Uo на многослойный пьезоэлемент–резонатор его центр тяжести переместится на расстояние L, равное L = Н/2 = Н·d33·U/2h, где H и Н – длина и удлинение пьезоэлемента–резонатора, d33 – пьезомодуль пьезокерамической пленки пьезоэлемента–резонатора (40010-12 Кл/Н). Импульс отдачи можно записать как p = mV, где m – масса пьезоэлемента–резонатора, V = a – скорость центра тяжести в конце движения, а = 2L/2 – ускорение центра тяжести, = h/V – время перемещения центра тяжести пьезоэлемента–резонатора равное времени прохождения звуковой волны через пьезокерамичскую пленку пьезоэлемента–резонатора, V – скорость звука в пьезокерамической пленке (3000 м/с). В результате для импульса отдачи имеем:

Рисунке 14. – Чувствительность пьезокомпозита ЦТС-36П к силе удара На рис. 14 представлены графики зависимости выходного напряжения фиксируемого с датчика удара цифровым осциллографом ADS1202, от импульса отдачи пьезоэлемента–резонатора, рассчитанного по формуле (4).

При подаваемом напряжении менее 1 мВ (что соответствует импульсу ~ 0,9210-6 кг·м/с), фиксируемый сигнал сравним по величине с шумовой составляющей измерительной цепи. Поскольку величина шумовой полосы определяется минимальной чувствительностью цифровой платы (для осциллографа ADS1202 она составляет 410-5 В), то использование в регистрирующей аппаратуре микросхемы LMP2012WGL QMLV с шумовой составляющей 3510-9 В, позволит фиксировать частицы с импульсом до 10- кг·м/с.

2.3 Магнитоэлектрические композиты на основе нанокристаллических магнитострикционных быстрозакалённых лент и пьезоволокнистых плёнок В последние годы было показано, что композитным структурам, состоящим из чередующихся магнито- и пьезоактивных компонент, свойствен гигантский магнитоэлектрический эффект (МЭ), намного превышающий эффект в однофазных материалах [33–36]. МЭ материалы, обладающие одновременно магнитным и электрическим упорядочением, обеспечивают принципиальную возможность управлять магнитными свойствами с помощью электрического поля и, наоборот, осуществлять модуляцию электрических свойств магнитным полем. Эта уникальная особенность открывает новые возможности использования МЭ материалов для создания интеллектуальных сенсоров, наноактюаторов, датчиков электрического и магнитного поля, устройств записи/считывания информации [37].

МЭ в твёрдом теле был теоретически предсказан Л.Д. Ландау и Е.М.

Лифшицем ещё в 1957 г. и был вскоре обнаружен у некоторых монокристаллических (однофазных) соединений. Однако ввиду малости он долгое время не привлекал особого внимания, и только в последние годы, благодаря исследованиям магнитострикционно-пьезоэлектрических композитов со значениями эффекта выше прежних на несколько порядков, появилась надежда на его широкое практическое применение.

Важнейшим потенциальным применением магнитоэлектрических (мультиферроидных) материалов являются энергонезависимые магнитные устройства памяти с произвольным доступом (MRAM – magnetic random access memory), сочетающие в себе высокую скорость статических ОЗУ (SRAM – static random access memory) c высокой плотностью динамической памяти (DRAM – dynamic random access memory) [38].

Решающую роль в развитии новой технологии MRAM может сыграть то обстоятельство, что мультиферроидные материалы сулят избавление от необходимости использовать магнитные поля для изменения магнитного принципиальным, т.к. в традиционной технологии при уменьшении размеров магнитных элементов и зазоров между ними резко возрастают трудности локализации управляемых электрических током магнитных полей, значения которых должны быть достаточно высокими. Кроме того, при уменьшении размеров ячеек и сечений токовых проводников возрастает плотность протекающих по ним токов, что вызывает опасность их разрушения за счёт известных эффектов электромиграции. Ещё одна проблема связана с функционирование магниторезистивного преобразователя существующих MRAM. Также возникают проблемы обеспечения стабильности магнитного магнитостатического взаимодействия.

В настоящем проекте проведена разработка физических основ получения эффективных магнитоэлектрических мультиферроидных композиционных структур для их применений в устройствах обработки информации и измерительной технике.

В отличие от однофазных материалов магнитоэлектрический эффект в "магнитострикция – упругая деформация – пьезоэлектрический эффект" и магнитострикционными и пьезоэлектрическими константами удается получить значения МЭ, достаточные для практического использования [39].

ферромагнетика и пьезоэлектрика (как правило, пьезоэлектрической варьирования их физических свойств, а значит и оптимизации характеристик устройств на их основе. Это позволяет преодолеть барьеры в развитии технических применений мультиферроиков, обусловленные крайне ограниченным числом известных природных или синтетических однофазных магнитоэлектрических материалов [40].

многофазными системами, свойства которых зависят от количества фаз, их концентрации в материале, физических характеристик каждой из фаз и т.д..

Отклик таких материалов на внешнее воздействие (электрическое и магнитное поля, механическое напряжение, изменение температуры и т. д.) либо является суммарным, определяемым откликами отдельных компонент системы, либо определяется некоторым свойством, не присущим ни одному из составляющих композита.

Многочисленные опубликованные за последние 10-15 лет работы содержат детальное рассмотрение разнообразных сочетаний типов связности (0-3, 1-3, 2-2 и т.п. по классификации: [41] фазовых компонент и их физических свойств. Производилась оценка и моделирование магнитоэлектрических характеристик композитов с использованием в качестве магнитной компоненты магнитострикционных ферритовых (CoFe2O4, NiFe2O4) и металлических материалов (Ni, Fe-Co, сплавы с гигантской магнитострикцией – Terfenol-D, Galfenol и др.). В качестве пьезоэлектрической компоненты применялась в основном пьезокерамика ЦТС (цирконат-титанат свинца), имеются также данные по полимерным пьезоэлектрикам на основе поливинилиденфторида (ПВДФ). Эти работы проводились в основном под углом зрения получения наибольших значений магнитоэлектрического коэффициента.

В рамках выполнляемого проекта ставится была поставлена иная конкретная задача – реализация вольтаического (через посредство пьезоэлектрической компоненты) управления параметрами магнитной анизотропии магнитной компоненты. Решение такой задачи может привести к созданию новой парадигмы в области MRAM, в которых изменение магнитного состояния ячеек памяти осуществляется без участия токонесущих проводников.

В работах, доложенных членами коллектива на конференции FMNTTartu, ESTONIA) была продемонстрирована возможность вольтаического (voltage controlled) управления положением оси лёгкого намагничивания магнитоодноосных плёнок Fe-Co-B-Si посредством простого изменения напряжения, приложенного к композиту Fe-Co-B-Si/MFCпьезоэлемент (MFC – macro fiber composite фирмы Smart materials Corp., USA). Экспериментально (при комнатной температуре) реализован режим обратимого переключения вектора намагниченности M на 180 градусов, в отличие от простого изменения амплитуды M, демонстрируемого в известных типах композитов. С учётом этих данных работа была направлена на исследование физических основ метода вольтаического управления положением осей лёгкого намагничивания тонкоплёночных магнитных элементов и создание лабораторного образца композита.

2.3.1. Выбор магнитного материала.

В отличие от некоторых публикаций, в которых в качестве основного критерия оценки магнитного материала композитной структуры выбирался критерий максимальной магнитострикции, в проекте будет проведён более полный анализ, учитывающий значение магнитострикционной восприимчивости d/dH. Принятие этого критерия приводит к существенным смещениям акцентов в оценке материала. Так, сплав Terfenol-D имеет рекордно высокую гигантскую магнитострикцию, превышающую магнитострикцию магнитомягкого сплава Fe-Co-Si-B в 20…40 раз, однако проницаемости терфенола, в результате магнитострикционная Кроме того, были учтены другие факторы, определяющие магнитную проницаемость магнитострикционных магнитомягких материалов. К их числу относятся проведение термомагнитной обработки, выбор оптимальной геометрии магнитного элемента (в отличие от общепринятых простых прямоугольных форм, понижающих магнитную проницаемость тела), учёт внутреннего размагничивающего фактора, обусловленного шероховатостью поверхности быстрозакалённых лент (устраняется путём электополировки).

Учёт и компенсация этих факторов дало заметный выигрыш в качестве магнитной фазы композита.

2.3.2. Выбор пьезоэлектрического материала.

Основной упор был сделан на тонкослойные ую и тонкоплёночную полимерные гибкие композиты на основе ПВДФ и MFC – macro fiber composite фирмы Smart materials Corp., USA).

2.3.3. Технология соединения слоёв композитов со связностью 2-2.

Проводимые коллективом авторов эксперименты выявили важную роль технологии соединения элементов композита в достижении их эффективного сопряжения. В литературе практически отсутствует анализ влияния качества соединения на свойства композита, зачастую применяются клеи общего назначения без учёта специфики работы композита. В рамках данного проекта была разработана новая эффективная технология вакуумной холодной диффузионной сварки, заимствованная из технологии соединения акустооптических фильтров с пьезоэлементами из ниобата лития. которая будет применена в предлагаемом проекте.

2.3.4. Полученные результаты На рис. 15 представлены петли гистерезиса исходного сплава Fe-Co-SiB, измеренные в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Из представленных данных видно, что представленный материал обладает четко выражженой одноосной магнитной анизотропией, и в отсутствие внешних воздействий все вектора намагниченности (180-градусные домены) ориентированы параллельно длинной оси образца.

Основной результат данного раздела работы состоит в получении магнитоэлектрическогокомпозита, ход кривых намагничивания которого управляется с помощью электрического напряжения, приложенного к пьезоэлектрическому компоненту композита (рис. 16).

Рисунок 15. – Кривые намагничивания образца нанокристаллической Fe-Co-Si-B ленты в трудном и лёгком направлении.

Рисунок 16. – Семейство петель гистерезиса композита, образованного магнитоодносной плёнкой сплава Fe-Co-Si-B, нанесённой на подложку из пьезокомпозита. (a) Влияние управляющего напряжения на петли гистерезиса в направлении, которое исходно при Vmin было лёгким (стрелка от Vmin к Vmax указывает на последовательность измерительного процесса. При Vmax более 1000 В петля гистерезиса соответствует трудному направлению намагничивания. (b) повторение измерительного процесса в обратном направлении: образец исходно сориентирован трудной осью вдоль направления измерений. Приложение управляющего напряжения при Vmax приводит к переориентации оси лёгкого намагничивания на 90 градусов.

На рис.17 представлена передаточная характеристика преобразователя магнитоэлектрического композита. Из представленных данных видна высокая чувствительность преобразователя (пороговая чувствительность менее 1 нанотеслы), что сопоставимо с чувствительностью феррозондовых приборов. Отличительной особенностью магнитоэлектрического преобразователя является предельная простота его конструкции и механическая гибкость (рис. 18), а также температурная стабильность, допускающая возможность его работы в широком климатическом интервале температур.

Рисунок 17. – Передаточная характеристика магнитоэлектрического преобразователя Рисунок 18. – Внешний вид гибкого магнитоэлектрического преобразователя

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Цели и задачи исследований, запланированных на отчетном этапе, реализованы полностью.

Проведены всесторонние испытания новых методологических способов:

– определения поглощающих и рассеивающих свойств кристаллов на образцах германия и парателлурита, являющихся ценным материалом для элементов инфракрасной оптики, акустооптики и лазерной техники;

– определения коэффициента тепловой диффузии тонких диэлектрических пленок методом прохождения через материал прямоугольно модулированной температурной волны с использованием в качестве анализатора сегнетоэлектрического кристалла;

– фиксации импульса частиц попадающих на пьезоэлектрический датчик (пластина пьезокерамики), рассмотрена возможность их применения в космических условиях;

– вольтаического управления положением оси лёгкого намагничивания магнитоодноосных плёнок Fe-Co-B-Si посредством простого изменения напряжения, приложенного к композиту Fe-Co-B-Si/MFC (MFC – пьезоэлемент macro fiber composite фирмы Smart materials Corp., USA).

Определены новые возможности применения в соответствующих современных устройствах кристаллов германия и парателлурита, обладающих предельно высокими параметрами, характеризующими структурное совершенство и оптическую однородность этих материалов.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Зубов Б.В. и др. Рассеяние света, обусловленное микродефектами в Si и Ge // ФТТ. 1977. Т. 19. Вып. 6. С.

1784-1791.

2. Шайович С.Л., Каплунов И.А., Колесников А.И. Контроль рассеяния инфракрасного излучения в германии методом фотометрического шара // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2005. Т. 71. № 9. С. 47Воронков В.В., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П., Мурин Д.И., Мурина Т.М., Прохоров А.М. Температурная зависимость малоуглового рассеяния света кристаллами чистого кремния // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 5. С. 938Воронков В.В., Воронкова Г.И., Зубов Б.В. и др. Рассеяние инфракрасного лазерного излучения - метод исследования локальных неоднородностей в чистых полупроводниках // ФТТ. 1981. Т. 23. Вып. 1. С. 117-125.

5. Каплунов И.А., Колесников А.И., Талызин И.В., Седова Л.В., Шайович С.Л.

Измерения коэффициентов ослабления света монокристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 7. С. 76-84.

6. Каплунов И.А. Внутренние напряжения и дислокационная структура крупногабаритных монокристаллов германия для инфракрасной оптики // Оптический журнал. 2006. Т.73. № 2. С. 85-91.

7. Chu Ya., Li Ya. Ge Z., Wu G., Wang H. Growth of high quality and large size paratellurite single crystals. Journal of crystal growth. 295(2006) pp. 158-161.

8. Kumaragurubaran S., Krishnamurthy D., Sybramanian C., Ramasamy P. Growth of paratellurite crystals: effect of axial temperature gradient on the quality of the crystals. // Journal of Crystal Growth. 2000. V. 211. P. 276-280.

9. Виноградов А.В., Ломонов В.А., Першин Ю.А., Сизова Н.П. Рост и некоторые свойства монокристаллов ТеО2 большого диаметра // Кристаллография. 2002. Т. 47. № 6. С. 1105-1109.

10. Колесников А.И., Каплунов И.А. Терентьев И.А. Дефекты различных размерностей в крупногабаритных монокристаллах парателлурита.

Кристаллография 2004. т. 49. №2 229-233 с.

11. Колесников А.И., Каплунов И.А., Третьяков С.А., Воронцова Е.Ю.

«Конвекция расплава при выращивании монокристаллов парателлурита методом Чохральского». // Расплавы. 2009, с. 58-67.

12. Виноградов В.А., Люмкис Е.Д., Мартузан Б.Я. Расчет гидродинамических потоков в расплаве и распределение температуры для прозрачных материалов, выращиваемых способом Чохральского // Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур.

М: Наука. 1986. С. 76-83.

13. Вильке К. - Т. Выращивание кристаллов. - Л.: Недра, 1977. - с. 359.

14. Блистанов А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики. М.: МИСИС.

2000. 432 с.

15. Воронцова Е.Ю., Гречишкин Р.М., Каплунов И.А., Колесников А.И., Молчанов В.Я., Талызин И.В., Третьяков С.А. Проявление гиротропии при рассеянии света в кристаллах парателлурита // Оптика и спектроскопия.

2008. Т.104. №5. С. 822-825.

16. Каплунов И.А., Колесников А.И., Шайович С.Л., Талызин И.В. Рассеяние света монокристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал.

2005. Т. 72. № 3. С. 51-56.

17. Янски И., Петер А., Мечеки А. и др. О плотности дислокаций и затухании гиперзвука в парателлурите.// Кристаллография. - 1982. - т.26. - Вып.1. с.152-155.

18. Каплунов И.А., Колесников А.И., Скоков К.П., Гречишкин Р.М., Седова Л.В., Третьяков С.А. Связь между механическими напряжениями и оптическими аномалиями в германии и парателлурите // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 7. С. 85-89.

19. Калашников А.П. Внешняя морфология и распределение дислокаций в кристаллах парателлурита.// Докл. АН СССР.- 1982. -т.263.- с.1132-1134.

20. Foldvari J., Voszka R., Peter A. Comments on gas-bubble entrapment in TeO Single Crystal// Journal of Crystal Grouth.-1982.- Vol.59.- P.651-653.

21. Malicsko L., Krajewski T. Microdistribution of Impurities in Paratellurite.// Journal of Crystal Growth.- 1982.- Vol.60.- P.195-198.

22. Курбаков А.И., Лошманов А.А., Писаревский Ю.В., Рубинова Э.Э., монокристаллов формиата иттрия и парателлурита // Кристаллография. 1989.

Т.34. Вып.1. С. 254-256.

23. Климова А.А., Хартманн Э., Батурин И.А. Циркулярный дихроизм в кристаллах парателлурита //Кристаллография. 1986. Т.31. Вып.3. С. 602-603.

24. Лайнс М., Гласс А. // Сегнетоэлектрики и родственные им материалы: Пер. с англ. М.: Мир. 1981. C. 736.

25. Bauer S., Ploss B. // J. Appl. Phys. 1990. V.68. P.6361-6367.

26. Malyshkina O.V., Movchikova A.A., Grechishkin R.M., et al. // Ferroelectrics.

2010. V.400. P.63.

27. Малышкина О.В., Мовчикова А.А., Прокофьева Н.Б. и др. // Вестник ТвГУ.

Серия «Физика». 2009. Т.7. С. 48-62.

28. Glass A.M. // Physical Review. 1968. V. 62. P. 564-571.

29. Lin T.H, Edwards D, Reedy E., et al. // Ferroelectrics. 1988. V.77. P.153-160.

30. Bauer S, Ploss B. // IEEE Transactions on Electrical Insulation. 1992. V27. P.861Lang S.B. // ISAF 1998. Proceedings of the Eleventh IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics. 1998. P. 195-198.

32. Lang S.B. // Ferroelectrics. 1976. V. 11. P. 315.

33. А.А. Буш и др., Толстоплёночные слоистые композитные структуры цирконат-титанат свинца–феррит никеля-цинка: получение методом сеткотрафаретной печати и магнитоэлектрические свойства // ЖТФ. 2010. Т.

80. С. 69-76.

34. А.П. Пятаков, А.К. Звездин. Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики // УФН. 2012. Т.182. С.593-620.

35. А.К. Звездин, А.П. Пятаков. Неоднородное магнитоэлектрическое взаимодействие в мультиферроиках и вызванные им новые физические эффекты // УФН. 2009. Т. 179. С. 897-904.

36. M. Fiebig. Revival of the magnetoelectric effect // J. Phys. D: Appl. Phys. V. (2005), pp. R123-R152; W. Eerenstein, N.D. Mathur, J.F. Scott. Multiferroic and magnetoelectric materials // Nature. V. 442 (2006), pp. 759-765.

37. Звездин А.К., Пятаков А.П. Фазовые переходы и гигантские МЭ в мультиферроиках. УФН. 2004. Т. 174. №4. С. 465-470.

38. G.A. Prinz. Magnetoelectronics. Nature. 1998. V. 282. P. 1660-1663.

39. C.-W. Nan, M. I. Bichurin, S. Dong, D. Viehland, and G. Srinivasan. Multiferroic magnetoelectric composites: Historical perspective, status, and future directions // J. Appl. Phys. V. 103 (2008), 031101.

40. Hill N.A. Why are there so few magnetic ferroelectrics? J. Phys. Chem. B. 2000.

V. 104. P. 6694-6709.

41. R.E. Newnham, D.P. Skinner, L.E. Cross. Connectivity and PiezoelectricPyroelectric Composites // Mat. Res. Bull. 1978. V. 13. P. 525-536.

ПЕРЕЧЕНЬ ПУБЛИКАЦИЙ, ИЗДАННЫХ В РАМКАХ РЕАЛИЗАЦИИ

ПРОЕКТА

I. Монографии 1. Головнин В.А., Каплунов И.А., Педько Б.Б., Малышкина О. В., Мовчикова А.А. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов: монография. М: ТЕХНОСФЕРА, 2013. – 272 с.

III. Статьи в российских журналах из списка ВАК И.А. Каплунов, А.И, Колесников, Е.И. Каплунова Выращивание крупногабаритных кристаллов германия для инфракрасной оптики. // Журнал Сибирского федерального Университета. Техника и технологии. 2013. Т.3, № 6.

С.324–333.

И. А. Каплунов, О. В. Малышкина, А. И. Колесников, Р. М. Гречишкин, Е. И. Каплунова, А. И. Иванова Структура поверхности крупногабаритных монокристаллов германия // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, 2013, № 11, с. 47– Барабанова Е. В., Заборовский К. М., Посадова Е. М., Кастро Р. А.

Влияние пористости на электрофизические свойства керамики ЦТС. // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И.

Герцена, 2013, №157, с 79-83.

IV. Статьи в рецензируемых зарубежных журналах E.V. Barabanova, O.V. Malyshkina, A.M. Lotonov, N.D. Gavrilova The effect of conductivity on the dielectric response of PFN ceramics. // Ferroelectrics, 2013.

442:1. P.144-148.

Yu. Malyshkin, E. Paquette THE POWER OF 2 CHOICES OVER PREFERENTIAL ATTACHMENT. // arXiv:1311.1091v1 [math.PR] 5 Nov 2013.

W. Iwasieczko, N.Yu. Pankratov, E.A. Tereshina, S.A. Nikitin, I.S. Tereshina, K.P. Skokov, A.Yu. Karpenkov, R.M. Grechishkin, H. Drulis, Changes in magnetic state of Y2(Fe,Mn)17-H systems: regularities and potentialities. // J. Of Alloys and Compounds. 2013. doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.09. O.V. Malyshkina, V.S. Lisitsin, J. Dec, T. ukasiewicz Pyroelectric and dielectric properties of calcium-barium niobate single crystals. // arXiv:1312. [cond-mat.mtrl-sci] 7 Dec 2013.

L.E. Afanas'eva, I.A. Barabonova, P.O. Zorenko, I.A. Yakovlev, R.M.

Grechishkin, A.N. Grezev, N.V. Grezev (2013) Laser welding in external electrical DOI:10.1080/09507116.2012. A Kolesnikov, R Grechishkin, O Malyshkina, Y Malyshkin, J Dec, T ukasiewicz and A Ivanova Conoscopic study of strontium-barium niobate single crystals // 2013 IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. M S Shashkov, O V Malyshkina, E V Barabanova, M S Korolyova and I V Piyr Examination of dielectric dispersion of complex oxides on the basis of bismuthcontaining titanates // 2013 IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. E V Barabanova, O V Malyshkina, A I Ivanova, E M Posadova, K M Zaborovskiy and A V Daineko Effect of porosity on the electrical properties of PZT ceramics // 2013 IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. V A Golovnin, I A Kaplunov, A I Ivanova and R M Grechishkin Engineering aspects of multilayer piezoceramic actuators // 2013 IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng.

A I Kolesnikov, R M Grechishkin, S A Tretiakov, V Y Molchanov, A I 10.

Ivanova, E I Kaplunova and E Y Vorontsova Laser conoscopy of large-sized optical crystals // 2013 IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. V. Другие статьи, тезисы докладов конференций O. Malyshkina, A. Ivanova, R. Grechishkin, E. Posadova, S. Pugachev, P.

Aleksanrova. The effect of metallization on the physical properties of piezoceramics // The international workshop on relaxor ferroelectrics (IWRF), Ioffe Physical Technical Institute, Saint-Peterburg, Russia, 1-6 July 2013. P. 144-145.

Малышкина О.В., Шашков М.С., Барабанова Е.В., Королева М.С., Пийр И.В. Исследование диэлектрической дисперсии висмутсодержащих соединений. // Материалы докладов VIII Всероссийской научной конференции «Керамика и композиционные материалы», Сыктывкар, 17-20 июня 2013г, с.

52-54.

случайных блужданий. // Материалы Международного молодежного научного форума «ЛОМОНОСОВ-2013» / Отв. ред. А.И. Андреев, А.В. Андриянов, Е.А.

Антипов, К.К. Андреев, М.В. Чистякова. [Электронный ресурс] — М.: МАКС Пресс, 2013.

Малышкина О.В., Иванова А.И., Топчиев А.А., Малышев К.В., Сорокина пьезокерамики на основе цирконата-титаната свинца. // Материалы докладов VIII Всероссийской научной конференции «Керамика и композиционные материалы», Сыктывкар, 17-20 июня 2013г, с. 54-56.

использования операционных усилителей при исследовании сегнетоактивных материалов. // Труды Второго междунродного междисциплинарного родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития)» 2-6 сентября 2013 г. Ростов-на-Дону, Туапсе. 2013. выпуск 2. Т.2.

С.12-16.

Малышкина О.В., Колесников А.И, Гавалян М.Ю., Барабанова Е.В.

Дисперсия диэлектрической проницаемости монокристаллов парателлурита. // симпозиума «Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития)» 2-6 сентября 2013 г.

Ростов-на-Дону, Туапсе. 2013. выпуск 2. Т.2. С.17-20.

Королева М.С., Шашков М.С., Пийр И.В., Малышкина О.В. Синтез и диэлектрические свойства медьсодержащих титанов висмута со структурой слоистого перовскита. // Труды Второго междунродного междисциплинарного молодежного симпозиума «Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития)» 2-6 сентября 2013 г. Ростов-на-Дону, Туапсе. 2013. выпуск 2. Т.1.

С.230-233.

А.Ю. Елисеев, О.В. Малышкина, В.А. Головнин, Д. А. Добрынин, Н.В. Иноземцев. Спекание пленочных актюаторов. // Сборник трудов международной молодежной научной конференции «Актуальные поблемы пьезоэлектрического приборостроения» 23–27 сентября 2013 г. г. Анапа. 2013.

С.34–36.

Г.Г. Дольников, C.О. Сегеда, О.В. Малышкина, Н.В. Иноземцев, В.А.

Головнин. Тарировка пьезоэлектрического датчика удара с использованием многослойных резонаторов. // Сборник трудов международной молодежной научной конференции «Актуальные поблемы пьезоэлектрического приборостроения» 23–27 сентября 2013 г. г. Анапа. 2013. С. 124–127.

О.В. Малышкина, А.А. Топчиёв, Е.В. Барабанова, А.И. Иванова, С.И.

10.

Пугачев, И.А. Эмбиль Влияние способа металлизации на структуру и диэлектрические свойства пьезокерамики ЦТС различных составов. // Сборник трудов международной молодежной научной конференции «Актуальные поблемы пьезоэлектрического приборостроения» 23–27 сентября 2013 г. г.

Анапа. 2013. С.31–33.

Каплунов И.А., Гречишкин Р.М, Колесников А.И., Третьяков С.А.

11.

Периодичности профиля необработанной поверхности крупногабаритных кристаллов германия и их связь с кинетикой кристаллизации // Цветные металлы – 2013. Сб. научн.статей. Красноярск: Версо, 2013. С. 260-264.

Малышкина О.В., Сегеда С.О., Малышкин А.В. Расширение частоного 12.

диапазона преобразователя ток напряжение для пироэлектрических измерений.

// Вестник ТвГУ. Серия «Физика» 2012. Выпуск 21. С.63 – 70.

Барабанова Е.В., Малышкина О.В., Заборовский К.М., Иванова А.И., 13.

Дайнеко АВ. Диэлектрические свойства пористой керамики. // Вестник ТвГУ.

Серия «Физика» 2012. Выпуск 18. С.43 – 49.

E.V. Barabanova, O.V. Malyshkina, A.I. Ivanova, E.M. Posadova, K.M.

14.

Zaborovskiy, Daineko A.V Effect of porosity on the electrical properties of PZT ceramics // Book of Abstracts. Internatonal conference Functional materials and nanotechnologies Aprl 21-24, 2013. Tartu, Estonia. 2013. PO-149.

A. Kolesnikov, R. Grechishkin, O. Malyshkina, Yu. Malyshkin, J. Dec, T.

15.

ukasiewicz Conoscopic study of Strontium-barium niobate single crystals. // Book of Abstracts. Internatonal conference Functional materials and nanotechnologies Aprl 21-24, 2013. Tartu, Estonia. 2013. PO- M.S. Shashkov, O.V. Malyshkina, E.V. Barabanova, M.S. Korolyova, I.V.

16.

Piyr. Examination of dielectric dispersion of complex oxides on the basis of bismuthcontaining titanates //Book of Abstracts. Internatonal conference Functional materials and nanotechnologies Aprl 21-24, 2013. Tartu, Estonia. 2013. PO-37.

O. Malyshkina, V. Lisitsin, J. Dec, T. ukasiewicz Dielectric and pyroelectric 17.

propertis of calcium-barium niobate single crystals // Book of Abstracts. Internatonal conference Functional materials and nanotechnologies Aprl 21-24, 2013. Tartu, Estonia. 2013. PO-81.

Малышкина О.В., Педько Б.Б., Моргушка И.В. Влияние примеси Еu на 18.

Международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» 28 октября – 2 ноября 2013 г., Москва МИСиС. 2013. С.150.

А.И. Колесников, И.А. Каплунов, И.В. Талызин, Р.М. Гречишкин, Е.И 19.

Каплунова. Взаимосвязь рельефа и структуры ростовой поверхности монокристаллов германия // Тезисы докладов Международного симпозиума «Физика кристаллов 2013» 28 октября – 2 ноября 2013 г., Москва МИСиС.

2013. С.113.

ЗАЯВКИ, ОХРАННЫЕ ДОКУМЕНТЫ НА РЕЗУЛЬТАТЫ

ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ, ПОЛУЧЕННЫЕ В РАМКАХ

РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЕКТА

Получены патенты:

1. Изобретение. Пат. 2472253 С1 (RU), опубл. 10.01.2013 «Пьезоэлектрический прибор и способ его изготовления». Головнин В.А., Дайнеко А.В., Добрынин Д.А., Каплунов И.А., Круглов С.Л., Педько Б.Б., Гречишкин Р.М.

2. Изобретение. Пат. 2493636 (RU), опубл. 20.09.2013 «Устройство для Малышкин А.В.

3. Полезная модель. Пат. 129250 (RU), опубл. 20.06.2013 «Устройство для Малышкина О.В., Малышкин А.В.

4. Полезная модель. Пат. 133182 (RU), опубл. 10.10.2013 «Подсветка замка входной двери» Малышкина О.В.

Поданы заявки на 1. Изобретение «Ультразвуковой способ определения скорости потока газовой среды и устройство для его осуществления» Каплунов И.А., Рег.№20131126466 от 10.06. 2. Изобретение «Пьезоэлектрический датчик удара» Каплунов И.А., Малышкина О.В., Головнин В.А., Иноземцев Н.В., Дольников Г.Г.



Похожие работы:

«Независимая аудиторская фирма “АКТИВ” Закрытое акционерное общество Письменная информация (АУДИТОРСКИЙ ОТЧЕТ) по результатам аудиторской проверки финансовой (бухгалтерской) отчетности Открытого акционерного Общества Научно-исследовательский институт Космического приборостроения (НИИ КП) за 2009 год Дирекции ОАО НИИ КП Акционеру ОАО НИИ КП Москва 2010 СОДЕРЖАНИЕ №п/п Наименование Стр. Общие сведения 4 Методика проведения аудиторской проверки 1 Определение уровня существенности 1.1 Понятие...»

«Работа выполнена в Федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения. Научный руководитель: доктор технических наук, доцент, Тюрликов Андрей Михайлович Официальные оппоненты: Гольдштейн Борис Соломонович, доктор технических наук, профессор, СанктПетербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М. А. БончБруевича, заведующий кафедрой Cистемы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения Факультет военного образования А. А. Евдокимов ВОЕННАЯ ТОПОГРАФИЯ Пособие для групповых занятий Для студентов учебного военного центра обучающихся по специальности 411100 Эксплуатация и ремонт систем управления баллистических стратегических ракет и проверочнопускового оборудования ракетных...»

«Научно-Образовательный Центр Нанотехнологии ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ КОМПЛЕКСНЫЙ ПОДХОД К ИССЛЕДОВАНИЯМ И РАЗРАБОТКАМ В ОБЛАСТИ НАНОМАТЕРИАЛОВ И НАНОСИСТЕМ В НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНОМ ЦЕНТРЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ ЮЖНОГО ФЕДЕРАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА Коноплев Борис Георгиевич Агеев Олег Алексеевич 347928, Россия, Таганрог, Ростовская обл., ГСП-17А, пер. Некрасовский 44 E-mail: ageev@tti.sfedu.ru, тел./факс (8634)371611 3-я ежегодная научно-практическая конференция Нанотехнологического общества России,...»

«Н. п. ФАТЕЕВ ПОВЕРКА М ЕТЕО РО ЛО ГИ ЧЕСКИ Х ПРИБОРОВ Д опущ ено Главны м управлением гидрометеорологической службы при Совете Министров СССР в качестве учебника д л я уча­ щ ихся гидрометеорологических техникумов оо nJ ГИ Д РО М Е Т Р.ПИл!ПАТ. ЛЕНИНГРАД • 1975 Гидрс.лгтсо.о.о к. 'U ИН- t S О','. 'Л У К510 Д 5.58 Рецензенты; Д. Т. Выставная (Харьковский гидрометеорологический техникум) В. И. Ефремычев, Г. Н. Алянчикова (Н аучно-исследовательский институт 'гидрометеорологйческог(;.....»

«СНиП 2.04.09-84 СТРОИТЕЛЬНЫЕ НОРМЫ И ПРАВИЛА Пожарная автоматика зданий и сооружений Дата введения 1985-07-01 РАЗРАБОТАНЫ Специальным проектно-конструкторским бюро Спецавтоматика Минприбора (В. Д. Смирнов - руководитель темы, Л. А. Мозгова, В. Н. Дуно, Л. И. Портнова, разд. 1-3), Государственным проектным институтом Спецавтоматика Минприбора (Г. И. Сергеева - руководитель темы, разд. 4), Всесоюзным научно-исследовательским институтом противопожарной обороны МВД СССР (д-р техн. наук А. Н....»

«Н. И. Баторевич ЧЕСМЕНСКИЙ ДВОРЕЦ и Государственный университет аэрокосмического приборостроения БЕЛОЕ И ЧЕРНОЕ Санкт-Петербург 1998 Книга рассказывает о судьбе одного из многочисленных дворцов Петербурга. В отличие от других он обойден вниманием исследователей несмотря на то, что я в л я е т с я у н и к а л ь н ы м п а м я т н и к о м псевдоготической архитектуры. Это Чесменский дворец, н а з в а н н ы й в честь победы России над Турцией в Чесменском с р а ж е н и и под командованием графа А....»

«МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ Русаков Алексей Михайлович RusakovAM.ru Исследование и моделирование сложных систем Москва 2014 Оглавление Исследование и моделирование сложных систем ВВЕДЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ И СИСТЕМ Основы теории массового обслуживания Сетевые модели (N-схемы). Сети Петри ОБОЩЕННЫЕ МОДЕЛИ (А-СХЕМЫ) Формализация и алгоритмизация информационных процессов ПСЕВДОСЛУЧАЙНЫЕ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ И...»

«САРОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ НИЯУ МИФИ Переносные импульсные рентгеновские аппараты серий САРМА и АРГУМЕНТ для регистрации быстропротекающих процессов С.И. Герасимов, Д.В. Захаров, Г.А. Полиенко, Е.С. Хорошайло 2013 УДК 621.386 Переносные импульсные рентгеновские аппараты серий САРМА и АРГУМЕНТ для регистрации быстропротекающих процессов пособие для студентов вузов С.И. Герасимов, Д.В. Захаров, Г.А.Полиенко, Е.С. Хорошайло Для студентов и аспирантов физических специальностей вузов и...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Санкт-Петербургский институт информатики и автоматизации Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения Второй междисциплинарный семинар Анализ разговорной русской речи 3 АР - 2008 27 – 28 августа 2008 года, Санкт-Петербург, СПИИРАН Санкт-Петербург 2008 УДК 004.522 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Санкт-Петербургский институт информатики и автоматизации Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения...»

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СИСТЕМНЫЙ АНАЛИЗ И ЛОГИСТИКА УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ WWW.SALOGISTICS.RU ISSN 2077-5687 Специальное научное издание. Выпуск от 22 апреля 2013 года E-mail: info@salogistics.ru Выпуск №9 Адрес: Большая Морская, д. 67, Санкт-Петербург Аудитория 13-06 2013 Перепечатка материалов издания возможна только с письменного разрешения редакции СОДЕРЖАНИЕ 1. Характеристика контейнерного сервиса Daily Maersk ( Водолажский А. И., Водолажский В. И.)..4-...»

«Министерство образования и науки Российской федерации Государственная корпорация Российская корпорация нанотехнологий Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ История и методология науки и техники (Код М.2.Б.01) Направление подготовки 200400.68 Оптотехника ( Волоконные лазеры и волоконно-оптические Профиль системы подготовки Заказчик: Государственная корпорация Российская корпорация нанотехнологий (ГК...»

«ЗАО “МЕДТЕХНИКА” BRAIN DIAGNOSTICSSOLUTIONS Минимакс Некоммерческое Партнерство Ультразвуковое Медицинское Кластер ме дицинского, Оборудование экологического приборостроения и биотехнологий S КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ ЗАО СЭМО Издание III Том 2 2012 - 2013 3 2012- 201 ПРЕСС-РЕЛИЗ Кластер медицинского, экологического приборостроения и биотехнологий образован в 2005 г., объединив малые и средние российские предприятия, работающие в медицинском приборостроении более 20 лет. Предприятия кластера имеют...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ ФОРУМ ШКОЛЬНИКОВ, СТУДЕНТОВ, АСПИРАНТОВ И МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ КОСМИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ Издательство Томского политехнического университета 2013 УДК 629.78 ББК 39.62 Космическое приборостроение: сборник научных трудов Форума...»

«Рабочая программа учебной Ф ТПУ 7.1 – 21/01 дисциплины УТВЕРЖДАЮ Декан факультета: Г.С. Евтушенко (И.О. Фамилия) (подпись) _ (дата) АНАЛОГОВЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА (название дисциплины) Рабочая программа для направления (специальности, специализации) 551500,(200100)-Приборостроение Факультет Электрофизический (ЭФФ) Обеспечивающая кафедра Информационно-измерительной техники (ИИТ) Курс _ Семестр 6_ Учебный план набора _2004_ года с изменением _- года Распределение учебного времени Лекции...»

«2 1 ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ Дисциплина Методы и средства контроля качества в приборостроении является одной из дисциплин специальности 200503 – Стандартизация и сертификация. Она имеет важное значение для формирования научного кругозора специалиста при решении конкретных задач стандартизации и сертификации в области приборостроения и неразрушающего контроля материалов и изделий. Цель преподавания дисциплины Методы и средства контроля качества в приборостроении – формирование у студентов...»

«Утвержден и введен в действие Приказом Ростехрегулирования от 27 июня 2008 г. N 130-ст НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ СЧЕТЧИКИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ, УЛЬТРАЗВУКОВЫЕ, ВИХРЕВЫЕ И СТРУЙНЫЕ ДЛЯ ВОДЯНЫХ СИСТЕМ ТЕПЛОСНАБЖЕНИЯ ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ Electromagnetic, ultrasonic, vortex and fluid oscillator counters for water heat supply systems. General specifications ГОСТ Р 52932- Группа П ОКС 17.020; ОКП Дата введения 1 июля 2009 года Предисловие Цели и принципы стандартизации в Российской...»






 
© 2014 www.kniga.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, пособия, учебники, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.