WWW.KNIGA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, пособия, учебники, издания, публикации

 


Pages:   || 2 | 3 | 4 |

«Л-ФАРАБИ атындаы АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени АЛЬ-ФАРАБИ ХАБАРШЫСЫ ВЕСТНИК ФИЗИКА СЕРИЯСЫ СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ АЛМАТЫ № 4 (31) 2009 ...»

-- [ Страница 1 ] --

ISSN 1563-034X

Индекс 75877

Индекс 25877

Л-ФАРАБИ атындаы АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ

КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени АЛЬ-ФАРАБИ

ХАБАРШЫСЫ

ВЕСТНИК

ФИЗИКА СЕРИЯСЫ СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ

АЛМАТЫ № 4 (31) 2009 Л-ФАРАБИ атындаы

АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ

КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

имени АЛЬ-ФАРАБИ азУ ХАБАРШЫСЫ Физика сериясы Р А академигі, ф.-м..д., профессор Ф.Бйімбетовті 70 жылдыана арналан №4 (31) ВЕСТНИК КазНУ Серия физическая, посвященная 70-летию академика НАН РК, д.ф.-м.н., профессора Баимбетова Ф.

Алматы ISSN 1563-034X Индекс Индекс Л-ФАРАБИ атындаы КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ

АЗА ЛТТЫ УНИВЕРСИТЕТІ УНИВЕРСИТЕТ

имени АЛЬ-ФАРАБИ _ азУ ВЕСТНИК ХАБАРШЫСЫ КазНУ

ФИЗИКА СЕРИЯСЫ СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ

АЛМАТЫ № 4 (31) Зарегистрирован в Министерстве культуры, информации и общественного согласия Республики Казахстан, свидетельство № 956 – Ж от 25.11.1999 г.

(Время и номер первичной постановки на учет № 766 от 22.01.1992 г.) Редакционная коллегия:

Главный редактор - Аскарова А.С.

Научный редактор - Рамазанов Т.С.

Абдильдин М.М., Абишев М.Е., Архипов Ю.В., Баимбетов Ф.Б., Жанабаев З.Ж., Коробова Н.Е., Лаврищев О.А., Оскомов В.В.

Иманбаева А.К. (ответственный секретарь) Выходит 4 раза в год © Издательство «аза университеті», 70 лет Краткий очерк о жизни и научно-педагогической деятельности профессора КазНУ им. аль-Фараби, академика Национальной академии наук Республики Казахстан, доктора физико-математических наук, профессора БАИМБЕТОВА ФАЗЫЛХАНА Баимбетов Фазылхан родился 22 декабря 1939 года в местечке Жота Джангельдинского района Костанайской области. Детство Баимбетова Ф. пришлось на суровые предвоенные годы. Лишившись отца в возрасте 3 лет, он рано испытывает трудности жизни. До поступления в школу он воспитывается дома, в основном под влиянием своей матери Макиш, которая всегда внушала своим детям: не нарушать дисциплину, чужое без разрешения не брать, уважать всех, особенно пожилых людей. Этим жизненным установкам матери Фазылхан Баимбетов следует до сих пор.



Действительно, он требователен как педагог, верен и доброго человека и высококвалифицированного специалистапедагога, способного стимулировать их к совершенству.

Эти высокие человеческие качества у Фазылхана Баимбетова формировались не только в семье, но и благодаря советам и поддержке родственников и односельчан Оразжана, Кущека, Сабыржана, Альмагамбета, Шошая, Копея и многих других, а также прекрасных школьных учителей Амирханова Г., Алмагамбетова К., Карибаева А., Сабыржанова Г. и Мусагалиева Б. Школьные учителя дали ему прочные знания, и были достойны для подражания.

После окончания средней школы в 1957 году Баимбетов Ф. как истинно деревенский парень мечтает стать ветеринарным врачом, но волею судьбы поступает на математическое отделение физико-математического факультета КазПИ им. Абая. Здесь на его трудолюбие и способность обращает внимание член-корреспондент НАН РК, профессор Жолаев Ж.Р., читавший курс математического анализа. Жолаев Ж.Р. советует ему серьезно изучать физику. По его рекомендации Баимбетов Ф. самостоятельно изучает "Гидравлику" и "Газовую динамику". В процессе изучения этих предметов он испытывает трудности в понимании физического смысла законов гидрогазодинамики и принимает решение перевестись на физическое отделение физико-математического факультета КазГУ. После прохождения беседы у профессора Вулиса В.А. и разрешения декана физикоматематического факультета Ибрашева Х.И. в течение весеннего семестра 1958 - 59 учебного года Баимбетов Ф. посещает занятия по физике и сдает зачеты по семинарским и лабораторным занятиям. Однако, возникают трудности организационного характера с переводом его на физический факультет КазГУ.

По счастливому стечению обстоятельств осенью 1959 года при Сибирском отделении AН СССР открывается Новосибирский государственный университет (НГУ), который на второй курс набирает студентов с вузов бывшего Союза. Один из уважаемых наставников талантливой молодежи 60-х годов академик АН КазССР О.А. Жаутыков договаривается с ректором НГУ, академиком АН СССР И.Н. Векуа, о переводе отличников учебы КазПИ и КазГУ в НГУ. В числе первых девяти студентов КазПИ, переведенных в октябре 1959 года в НГУ был Фазылхан Баимбетов. Руководство НГУ удовлетворяет просьбу зачислить его на физическое отделение.

В стенах Новосибирского университета Баимбетов Ф. получает фундаментальное образование по физике и математике, слушая лекции и посещая научные семинары таких выдающихся ученых, как академики АН СССР М.А. Лаврентьев, С.Л. Соболев, С.А.

Христианович, Ю.Н. Работнева, Г.И. Будкер, Р.З. Сагдеев, член-корреспонденты АН СССР А.В. Бицадзе, П.О. Решетняк, Л.А. Овсянников, М.Ф. Жуков и другие. В результате напряженного и систематического труда он учится на отлично и становится первым Ленинским стипендиатом НГУ. В 1963 году он заканчивает университет и получает диплом с отличием.

После окончания университета заместитель директора Института теоретической и прикладной механики М.Ф. Жуков (позже академик АН СССР) приглашает Баимбетова Ф. в Институт, и предлагает должность младшего научного сотрудника и жилье. Но по просьбе матери он приезжает в г. Костанай, устраивается преподавателем теоретической физики Костанайского пединститута. До сих пор Ф. Баимбетов считает своей главной ошибкой в жизни - отказ от предложения академика М.Ф. Жукова.





В дальнейшем Ф.Б. Баимбетов методом проб и ошибок ищет свой путь в науке. В 1965 году он поступает в целевую аспирантуру Тбилисского государственого университета по специальности "Теоретическая физика". И здесь ему пришлось трудиться, как говориться, в поте лица, так как он был лишен полной возможности активно участвовать в научных семинарах, проходивших в большинстве случаев на грузинском языке. Несмотря на это в результате напряженного и целенаправленного труда и постоянного внимания научного руководителя член-корреспондента АН ГССР Н.Л. Цинцадзе, он в срок завершает кандидатскую диссертацию на тему "К теории процессов переноса в слаботурбулентной плазме" и защищает ее в специализированном совете университета. В 1969 году ему Постановлением ВАК СССР выдается диплом кандидата физико-математических наук по специальности "Теоретическая и математическая физика". После завершения учебы в аспирантуре он возвращается в Костанайский пединститут и до 1973 года работает старшим преподавателем, доцентом кафедры физики.

В сентябре 1973 года Баимбетов Ф. избирается по конкурсу на должность доцента кафедры методики преподавания физики КазГУ. С тех пор его научно-педагогическая деятельность связана с Казахским государственным национальным университетом им. альФараби. Работая на кафедре, где отсутствовала специализация, и ежегодно выполняя педагогическую нагрузку в объеме 800 - 900 часов, он продолжает усиленно заниматься научно-исследовательской работой по кинетической теории разреженной турбулентной плазмы, плотных газов и неидеальной плазмы. Привлекает к выполнению научных исследований по физике плазмы студентов, специализирующихся на других кафедрах.

Благодаря декану физического факультета профессору В.П. Кашкарову, у него появляются стажеры. Таким образом, он постепенно занимает твердую позицию в коллективе физического факультета.

В соответствии с Постановлением Минвуза СССР и Академии наук СССР о введении новых специальностей в номенклатуру специальностей вузов, и убедившись, что Баимбетов Ф. серьезно занимается наукой и близок к завершению докторской диссертации, ректор университета академик HAH PK Джолдасбеков У.А. разрешает в 1983-84 учебном году организовать при кафедре методики преподавания физики специализацию по физике плазмы. Под его руководством составляются рабочие учебные программы специальных курсов, разрабатываются новые специальные курсы, создаются спецпрактикумы, отражающие уровень и тенденцию развития физики плазмы. При его непосредственном участии созданы четыре учебные лаборатории, которые были оснащены в основном за счет средств руководимых им хоздоговорных работ.

Восьмидесятые годы являются наиболее результативным периодом в научной деятельности Баимбетова Ф.Б. Именно в этот период получены важные результаты по кинетической теории плотных газов с неаддитивным потенциалом межчастичных взаимодействий, построены статистическая теория равновесного состояния и гидродинамика. Эти результаты вместе с результатами по релаксационным явлениям и процессам переноса в турбулентной плазме позволили ему завершить докторскую диссертацию на тему "Процессы переноса и релаксационные явления в плотных газах и плазме", основные моменты которой предварительно были обсуждены ведущими специалистами СССР в этой области и доложены на Всессоюзных конференциях и научных семинарах крупных научных центров. Убедившись, что исследуемая им проблема является актуальной и основные результаты признаются крупными учеными, такими как В.Е. Захаров, В.Е. Фортов, Ю.Л. Климонтович, В.П. Силин, С.С. Моисеев, А.А. Рухадзе, В.Г. Дубровский и др., Баимбетов Ф. защищает в 1985 году докторскую диссертацию в специализированом совете Тбилисского госуниверситета и решением коллегии ВАК СССР ему присуждается ученая степень доктора физико-математических наук по специальности "Теоретическая физика".

В докторской диссертации Баимбетовым Ф. впервые выдвинуты идея о необходимости учета корреляций высших порядков не только в функциях распределения частиц системы, но и в потенциалах межчастичных взаимодействий. В дальнейшем эта идея позволила совместно с одним из его талантливых учеников ныне доктором физикоматематических наук, профессором Рамазановым Т.С. разработать псевдопотенциальные модели взаимодействия частиц плотной плазмы, учитывающие как квантовые эффекты на малых, так и корреляционные эффекты высших порядков на больших расстояниях между взаимодействующими частицами.

На основе предложенных моделей проведено систематическое исследование термодинамических, транспортных и электродинамических свойств плотной плазмы в широком интервале изменения ее параметров, как методами теоретической физики, так и методами компьютерного моделирования. Результатом десятилетней работы в этом направлении явилась монография "Математическое моделирование в физике неидеальной плазмы" (соавтор Т.С. Рамазанов). Исследования по физике плазмы продолжили его ученики. Его первый аспирант, ныне заведующий кафедрой оптики и физики плазмы Архипов Ю.В. защитил докторскую диссертацию, посвященную исследованию электродинамических свойств плазмы. В конце 90-х годов выходит цикл публикаций, посвященных формулировке новых псевдопотенциальных моделей в плотной высокотемпературной плазме и анализу корреляционных функций в такой среде. Как обобщение работ в этом направлении вышла монография «Псевдопотенциальная теория плотной высокотемпературной плазмы» (соавторы Архипов Ю.В., Давлетов А.Е., Стариков К.В.). В начале нового тысячелетия Давлетов А.Е. и Стариков К.В. защитили под руководством Ф.Б. Баимбетова кандидатские диссерации.

Наряду с теоретическими исследованиями свойств плазмы, в восьмидесятые годы под руководством Баимбетова Ф. начаты экспериментальные исследования по разработке генераторов плазмы и плазменных потоков и использованию их в целях целенаправленного изменения механических и физико-химических свойств приповерхностных слоев различных конструкционных материалов. Научно-исследовательские работы, проводимые в этом направлении, были включены в межвузовскую программу "Разработка генераторов плазмы и ионно-плазменные технологии" Минвуза СССР. Экспериментальная установка - импульсный плазменный ускоритель БАН - 01, созданный при непосредственном участии Баимбетова Ф., до сих пор служит базой для проведения экспериментальных научно-исследовательских работ студентами, аспирантами и сотрудниками. Кроме того, на этой установке проводятся совместные исследования с учеными различных регионов Республики. Так, например, заведующий кафедрой Атырауского государственного университета Джумамухамбетов Н.Г.

проводил исследования по взаимодействию импульсных потоков плазмы с полупроводниками. Совместные исследования и постоянное внимание со стороны Ф. Баимбетова к научной деятельности позволили ему защитить докторскую диссертацию, посвященную оптическим свойствам полупроводников, подвергнутых воздействию лазерного излучения и плазменных потоков. На основании результатов проведенных на ускорителе экспериментов и их анализа, проделанного с участием Ф.Баимбетова, защитил докторскую диссертацию Б.М.Ибраев, а Усеинов Б.М., Жукешов А.М. и Амренова А.У.

защитили кандидатские диссертации.

Таким образом, Баимбетов Ф. является известным ученым в области физики газа и плазмы не только в Республике, но и далеко за ее пределами. Им опубликовано свыше научных трудов. Его признают как руководителя созданной им научной школы в Казахстане.

Его труды публикуются в престижных, научных журналах стран СНГ и дальнего зарубежья, неоднократно выступал с докладами на международных конференциях, проходивших в крупных научных центрах России, Украины, Беларуси, а также в США, Германии и Франции. Он избирался членом Научных советов АН СССР по комплексной проблеме "Физика плазмы" и "Физика низкотемпературной плазмы". За вклад в развитие науки в г. Ф. Баимбетову присуждена независимая премия «Тарлан» меценатов Республики Казахстан.

Баимбетов Ф. вносит существенный вклад в подготовку высококвалифицированных научно-педагогических кадров. Под его руководством и научной консультацией соискатель защитили кандидатские диссертации и 5 человек докторскую диссертацию.

Работая в течение трех лет в составе экспертного совета по физике и энергетике ВАК Республики Казахстан, являясь председателем диссертационного совета по защите кандидатских диссертаций по специальностям: 01.04.08 - физика и химия плазмы; 01.04.04физическая электроника и членом докторского совета, он принимает активное участие в аттестации научно-педагогических кадров в республике. Кроме того, являясь соруководителем программы фундаментальных исследований, членом секции фундаментальных исследований и Высшего научно-технического совета Министерства науки и высшего образования Республики Казахстан, а также членом научного совета и бюро Отделения физико-математических наук HAH PK, он участвует в определении приоритетных направлений фундаментальных исследований и координации научных исследований в республике.

За выдающийся вклад в развитии и подготовку научно-педагогических кадров в республике и активную научно-организационную деятельность он в 1995 году избран членкорреспондентом, а в 2003 году действительным членом HAH PK, ему неоднократно назначалась Государственная научная стипендия.

Научно-педагогическая деятельность Баимбетова Ф. в основном связана с Казахским национальным университетом им. аль-Фараби. В 1994 - 1995 годах по приглашению президента Национальной академии наук академика К.А. Сагадиева он работал заместителем Академика – секретаря Отделения физико - математических наук HAH PK.

В КазНУ им. аль-Фараби он с 1973 года по 1986 год работает доцентом, профессором кафедры общей физики и методики преподавания физики. После защиты докторской диссертации возглавлял кафедру оптики и физики плазмы, где осуществлялась подготовка специалистов-физиков по двум специализациям: оптике и спектроскопии и физике плазмы.

Ф. Баимбетов много сил и знаний приложил для развития материально-технической базы, кадрового состава и сохранения нормальной рабочей обстановки на кафедре. В настоящее время кафедра оптики и физики плазмы стала одной из ведущих кафедр факультета, где трудятся 19 преподавателей и совместителей, в том числе 5 докторов наук, профессоров. Он много внимания уделяет повышению научной квалификации преподавателей путем расширения международного сотрудничества, по его рекомендации три преподавателя кафедры стали стипендиатами немецкого фонда DAAD и прошли научную стажировку в Германии.

В своей педагогической деятельности он обращает внимание учебно-методическому обеспечению учебного процесса. Им в соавторстве с коллегами написано 25 учебных пособий, в том числе по курсу общей физики "Электричество и магнетизм" (в соавторстве с Рамазановым Т.С.) на казахском языке и учебное пособие "Математический аппарат электродинамики" (соавторы Борискин А. Ф., Мурзагалиев Г.Ж.), где дано строгое и последовательное изложение основ векторного и тензорного исчисления в доступной форме для студентов младших курсов и учебное пособие по спецкурсу «Введение в физику плазмы». Кроме того им, в соавторстве с коллегами по кафедре выпущен ряд методических разработок по отдельным разделам общих и специальных курсов.

За плодотворную научно – педагогическую деятельность в 2006 г. Ф. Баимбетову присужден государственный грант МОН РК «Лучший преподаватель вуза».

В период работы деканом физического факультета под его руководством определены основные направления развития факультета в соответствии со статегией развития университета. Он дважды назначается проректором университета: сначала проректором по учебной работе (1990-1992 гг.), затем проректором по научной работе и международным связям с 1998 по 2001 г. С 2001 года по 2004 год Баимбетов Ф.Б. работает заведующим кафедрой оптики и физики плазмы, а с 2004 года – профессором этой кафедры. На любой должности он стремится объективно решать вопросы, относящиеся к своей компетенции и руководствоваться интересами дела. Его отличают принципиальность, требовательность к себе и коллегам по работе и вместе с тем он отзывчив, всегда готов помочь всем, кто обращается к нему с просьбой.

За значительный вклад в развитие КазНУ им. аль – Фараби Ф. Баимбетов в 2009 г.

награжден серебряной медалью университета.

Последние годы нового столетия ознаменованы тем, что Академик НАН РК Баимбетов Ф.Б., оставив все административные должности своим ученикам, всецело отдает свои знания и силы поиску принципиально новых направлений в физике неидеальной плазмы. Так, им на основе обобщенного уравнения Пуассона-Больцмана сформулированы псевдопотенциальные модели взаимодействия частиц полностью и частично-ионизованной плазмы при любых степенях ионизации системы. По результатам фундаментальных исследований динамических и транспортных свойств плазмы на основе этих моделей за этот промежуток времени под научной консультацией Ф.Баимбетова защищена докторская диссертация Давлетова А.Е.

Фазылхан Баимбетович глубоко знает и любит математику. По его мнению «Математика – красивейшая наука, но она становится на порядки красивее при применении ее методов для решения актуальных проблем в других областях науки». Эти слова он подтверждает всю свою жизнь, успешно решая сложнейшие математические задачи теоретической физики плазмы. Хотя Академик Баимбетов Ф.Б. является, прежде всего замечательным физиком-теоретиком, но он уделял и продолжает уделять огромное внимание экспериментальным исследованиям в физике плазмы. Еще в конце семидесятых, в начале восьмидесятых годов прошлого столетия при руководстве наладкой и проведением экспериментальных работ на импульсном плазменном ускорителе, обращаясь к своим ученикам, особенно к физикам-теоретикам, говорил о важности экспериментальных работ и об их неоценимой роли в стимулировании новых теоретических работ и получении фундаментальных знаний. Эти его слова оказались пророческими. Так за последние пять лет под руководством его ученика-первого доктора наук, профессора Рамазанова Т.С. созданы и эффективно функционируют две экспериментальные установки по исследованию свойств сильнонеидеальной пылевой плазмы на базе тлеющего и высокочастотного разрядов. Данное направление физики плазмы является молодым и быстроразвивающимся и многие результаты, полученные на этих установках уникальны, к примеру, впервые в мире получены новые фундаментальные результаты по плазменно-пылевым структурам («плазменный кристалл») в смеси газов. Его широчайший научный кругозор и высочайшая физическая интуиция и здесь помогают решать и обсуждать сложнейшие научные задачи, поскольку во многих научных проектах международного и республиканского масштабов, реализуемых на этих экспериментальных установках, Ф.Баимбетов является научным консультантом.

Академик Ф.Баимбетов участвует в международной координации исследований по физике плотной плазмы.

Он в определенной мере инициировал развитие нового направления в физике плотной плазмы – метода моментов, используемого применительно к исследованиям динамических характеристик непертурбативных кулоновских систем, развитого в Казахстане под руководством его ученика, профессора Архипова Ю.В. и профессора Валенсийского университета (Испания) И.М.Ткаченко.

Академиком Баимбетовым Ф. совместно с известным профессором из Франции Клодом Дойчем и их учениками, Стариковым К.В. и Ташевым Б., исследована тормозная способность плазмы, что имеет огромное значение для нагрева термоядерной плазмы различными потоками вещества. Это позволило установить новые механизмы и закономерности поведения поляризационных потерь ионов и электронов, движущихся в плазменной среде.

Научная школа по физике плазмы Академика Ф.Баимбетова, насчитывающая на сегодняшний день 7 докторов наук и около 50 кандидатов наук и докторов философии, давно стала мировым брендом в сообществе ученых, занимающихся данной проблемой. Научные труды представителей этой научной школы опубликованы в высокорейтинговых научных журналах США, Англии, Германии, Франции, Японии, России и апробированы на престижных Международных конференциях в качестве приглашенных и пленарных докладов. Работы, опубликованные Ф.Баимбетовым, имеют высокую цитируемость и активно используются ведущими учеными из различных стран.

Особо хочется отметить, что в настоящее время в нескольких университетах и научных организациях США, Германии, Кореи, Японии, Испании работают научные группы, которые занимаются теоретическими исследованиями и компьютерным моделированием свойств плотной плазмы на основе моделей взаимодействия частиц системы, разработанных Академиком Баимбетовым Ф. и его учениками.

Академику Баимбетову Ф. присущи такие черты характера, как человечность, простота в общении, особенно, со студентами и молодыми специалистами, фундаментальность образования, энциклопедичность знаний, независимость и смелость мышления во всех сферах его деятельности и, в особенности в науке, огромная интуиция и темперамент.

Фазылхан Баимбетович является крупнейшим ученым и выдающимся педагогом, внесшим неоценимый вклад в развитие отечественной науки и высшего образования, основателем всемирно известной научной школы по физике плазмы.

В свои 70 лет Академик Баимбетов Ф. полон творческой энергии, верен главному делу своей жизни – познавать неизведанное, отдавать все силы и знания воспитанию подрастающего поколения на благо развития родной страны и создавать вокруг себя атмосферу созидания и творчества.

ФИЗИКА ПЛАЗМЫ

ЖОАРЫ ЖИІЛІКТІ СЫЙЫМДЫЛЫТЫ РАЗРЯДЫНДАЫ ТОЗАДЫ

ПЛАЗМАНЫ ОПТИКАЛЫ ЖНЕ ДИНАМИКАЛЫ АСИЕТТЕРІН ЗЕРТТЕУ

Т.С. Рамазанов, Т.Т. Данияров, М.К. Досболаев, Ф.Б. Баимбетов, С.А. Оразбаев, К.Б. Жуманов, А.У. Утегенов, В.В. Ажаронок*, И.И. Филатова*, Л.Е. Кратько* ЭТФЗИ, л-Фараби ат. аза лтты университет, Алматы.

Жмыста жоары жиілікті сыйымдылыты разрядтаы комплекстік плазмадаы тозады раушысыны динамикалы асиеттері мен плазманы оптикалы асиеттері тжірибелік зерттеу жмыстарыны нтижелері келтірілген. Тозады блшектерді жылдамдытары бойынша таралуын талдау негізінде, уатты сіргенде оларды (тозады блшектерді) температураларыны сызыты трде сетіндігі, сондай-а сызыты спектрлік талдау негізінде тозады плазманы температурасы мен концентрациясы аныталан. Берілген жмысты нтижелері жылдамдытарды автокорреляциялы функциясы, тасымалдау коэффициенттері жне тозады плазмаа оптикалы диагностика жргізуге негіз бола алады.

Комплексті (тозады) плазма деп рамында электрондар, иондар, нейтрал атомдармен атар теріс немесе о зарядталан атты денені микронды лшемдегі макроскопиялы блшектері бар объектіні айтады. Бл сала кптеген жылдар бойы зерттеу объектісі болып келеді. Алайда ртрлі техникалы олданылулара (жану процесі, плазмалы технологиялар, атмосфера физикасы, басарылатын термоядролы синтез) жне алынан нтижелерді іргелі маыздылыына байланысты соы он жылдыта бл облыстаы зерттеулер арынды дами тсті. Сонымен атар тозады плазма табиатта ке таралан. Ол алып планеталарды саиналарын, кометаларды йрытарын, планетааралы жне жлдызаралы блттарды райды. Яни тозады плазманы физикалы асиеттері жніндегі мліметтер жалпы лемні пайда болуы процесі жайлы малмат береді (сыр шертеді). Сонымен кп жадайда реттелген тозады плазмалы рылымны физикалы асиеттерін ашы жйе ретінде білу ажетті. Тозады плазмалы рылымны физикалы асиеттерін зерттеуде тозады макроблшектерді зара серлесуін сипаттайтын адекватты моделді жотыы жне блшекаралы кшті серлесу салдарынан теориялы физиканы стандарты дістеріні жарамсыздыын атап ткен жн.

Соы жылдары тозады немесе комплексті плазма реттелген тозады рылымдар пайда болатын ашы сызыты диссипативтік жйе ретінде алымдарды назарын аударуда.

Айта кетсек, тозады плазманы физикалы рамын зерттеуге ызыушылы біріншіден МГД генараторды электрофизикасын зерттеу, микроэлектроникада плазмалы тозадау технологиясында, сонымен бірге жа пленка жне наноблшектер ндірісінінде кеінен олданылуа байланысты сті.

Плазмалы ортаа кірген немесе плазмалы реакторларды электродтарыны жне абыралы материалдарыны здігінен эрозиялануы натижесінен пайда болан тозады микроблшектер электрлік зарядталады. Бл тозады блшектерді зарядталуы электрондар мен иондар аынын жтуы натижесінде жреді. Ал, осы тозады блшектер электрондарды лкен жылдамдыыныны арасында о ( шамамен 104 бірлік заряд) заряд алады. Тозады блшектерді зарядыны лкен болу салдарынан рекеттесетін зарядтарды кбейтіндісіне тура пропорционал, оларды электростатикалы рекеттесуіні потенциалды энергиясы лкен. Сондытан да тозады блшектер жйесіні идеалды болмауы электронды-ионды жйені идеалды болмауына араанда едуір оай трде жзеге асады. Біра макроблшектерді концентрациясы электрондар мен иондарды концентрациясынан лде айда тмен. Соны нтижесінде лабораториялы жадайда тозады блшектер жйесінде реттелген рылымдар – Кулонды кристалдануды пайда болуына келеді.

Тозады плазманы жалпы асиеттерін (динамикалы, оптикалы, термодинамикалы т.с.с.), ондаы тозады блшектік рылымдарды жылдамдыын, температурасын, концентрациясын т.с.с параметрлерін анытау е ажетті ылыми мселелер болып табылады. Ал, бл алынан натижелер осы тозады жйедегі физикалы процесстерді тере тсінуге ммкіндік береді. Бл маалада негізінен тозады плазманы оптикалы жне динамикалы асиеттері жазылан. Сонымен бірге жоар жиілікті сыйымдылыты разряда жалпы малматтар берілген жне негізгі параметрлері динамикалы, сонымен бірге оптикалы - спектрлік анализ жасау негізінде аныталан. Бл дісті ерекшелігі ешандай кереар пікірсіз апаратты дл алуга ммкіндік береді. Алынан натижелер температура мен кинетикалы энергиясын есептеуге, тозады жйені рамын, ондаы блшектер буферлі плазманы спектрлік сипаттамаларынына серіні андай екенін крсетеді.

Тозады плазманы асиеттерін зерттеу шін жоары жиілікті клемдік разряд (ЖЖКР) негізіндегі ондыры жне де динамикалы асиеттерін анытау шін SSD камера, оптикалы асиеттерін зерттеуде SOLAR S100 спектрометрі олданылды. Жасалан тжірибелерді принципальды схемалары тменде 1-2 суретте крсетілген.

Параллель жазы электродтар жоары жиілікті сыйымдылыты камерада орналасан.

Электродтарды диаметрі 19 см. Оларды араашытыы 2 см. Тменгі электрода жиілігі 13,56 МГц жоары жиілікті кернеу беріледі жене жоары элекрод жерге жаланан.

Жоары жиілікті генератордан берілетін уат 1,5 – 20 Вт. Жмыс газы ретінде аргон газы алынды, ысымы шамамен 0,05 – 2 Торр. Жмыста тозады блшектер ретінде орташа диаметрі 4 мкм болатын полидисперсті Al2O3 нтатары олданылды.

Плазмалы – тозады блшектерді динамикалы асиеттерін(1- сурет ) жне оптикалы асиеттерін (2 - сурет) анытаудаы ЖЖ ондырыны принципиальды сызбалары Тозады рылымдарды горизонталь жазытыта баылау жылдамдыы жоары санды бейнекамерамен жне бір абатты жарытандыру шін уаты ~ 250 мВт болатын лазер олданылады. Ал алынан бейнекадрлер артынан деп, р трлі есептеулер жргізетін арнайы бадарламалары бар компьютерге жазылады. Ал, оптикалы – спектрлік анализ жасау шін Solar S100 сызыты спектрометрі олданылан. Бл спектрометрді сезгіштігі те жоары, 190 – 1100 нм аралыын бірден анытауа ммкіндік береді, орташа сезгіштігі нм. Спектрометрге арнайы оптолинзалар ондырылан жне ол ЖЖ камераны кру айнасына фокусталан. Осы спектрометрді кмегімен р трлі уатта жне ысымда спектрлік анализдер жасап оны тікелей ары арай дейтін компьютерге сатауа болады.

Сонда арнайы бадарламалар арылы деледі. Бл крделі зерттеулерді жеілдетуге жне дл есептеуге ммкіндік береді.

Алынан натижелер ЖЖ разрядта бейнекамера арылы алынан плазмалы – тозады рылымдары тмендегі 3 – суретте крсетілген. Бл тозады рылымдарды барлыы газ ысымы p = 0,125 торр кезінде алынан.

3 – сурет. ЖЖ разрядтаы плазмалы – тозады рылымдар, барлыында газ ысымы р = 0,125: а) разрядты уаты P = 6,25; разрядты уаты P = 8,75; разрядты уаты P = 11,25;

разрядты уаты P = 13,75; разрядты уаты P = 16,25; разрядты уаты P = 18, Жаарыдаы суретте крсетілгендей ЖЖ разряд уаты артан сайын тозады блшектерді араашытыы жаындайтынын наты трде айта аламыз. Бны былай тсіндіруге болады: егер разрядты уаты жоарылаан сайын оны баыланан абаттаы кинетикалы энергиясы жоарылайды, сосын тратанып тран блшектер кшті тербелісті арасында баыланан абатта зара ныыздала бастайды. Таы бл разрядты уаты жоарылаан сайын тозады блшектер сталып тран тзаты электростатикалы потенциялы згеруі мімкін, бл да тозады рылымны зара ныыздалуына келіп соады.

Тозады рылымдарды динамикалы асиеттерін сипаттау шін тозады блшектерді жылдамдытар бойынша таралуы есептелді:

мндаы v x, v y – x жне y осі бойынша жылдамдыты раушылары; t – уаыт аралыы;

v – жылдамдыты абсолют шамасы.

Тозады блшектерді жылдамдытарыны x жне y осі бойынша таралуы 4а жне 4б суретте, ал абсолют жылдамдытар бойынша таралуы 5 суретте крсетілген.

f(vx)* 4 – сурет.Тозады блшектерді ЖЖ разряд жылдамдытар бойынша таралуы функциясы.

а) блшектерді жылдамдытарыны x осі бойынша таралуы, б) блшектерді (3) жне (4) суреттерге сараптама жасай отырып бл тозады блшектерді жылдамдытар бойынша таралуы Масвеллді таралуына сйкес келетінін аарамыз.

Разрядты уатыны суі таралу функцияларыны згеруіне, яни температура седі. Бл жадайдаы блшектерді жылдам озалуы газды температураны суіне жне бл жйедегі кинетикалы энегиялары лкен блшектерді саныны суіне кеп соады.

5 – сурет. Тозады блшектерді абсолют жылдамдытар бойынша таралуы Алынаан тозады блшектерді абсолют жылдамдытары бойынша таралу функциясынан тозады блшектерді температурасы есептелді. Тозады блшектер температурасы vв = 2k BTd md ытимал жылдамдыпен аныталды. Мндаы Td - блшектерді температурасы, k B – Больцман тратысы, md – тозады блшектерді массасы.

Алынан нтиже бойынша разряд уаты скенде тозады блшектерді температурасы сетіндігі аныталды. Тозанды блшектерді температурасы 0,05-0,2 эВ аралыында болатындыы аныталды жне ол баса авторлады алынаан нтижелерімен сйкес келеді.

Келесі сезгіштігі те жоары, 190 – 1100 нм аралыын бірден анытауа ммкіндік беретін (орташа сезгіштігі 1 нм) спектрометрдін кмегімен ЖЖ разрядты сызыты оптикалы - спектрлік асиеттері (электрондарды температурасы мен концентрациясы т.с.с) зерттелді. Тменгі 6 - суретте сызыты спектрометрді кмегімен алынан спектрлер крсетілген:

6 – сурет. ЖЖ разрядта аргон газыны ысымы р = 0,9 торр, разряд уаты Р=7,5 Вт кезіндегі жоарыда алынан спектрлерді кмегімен аргон газыны температурасы есептелінді. Ол шін тмендегі кестедегі спектрлік сызытар пайдаланылды.

Осы сызытар бойынша газ температурасы мен элекрондарды концентрациясы аныталды.

Е кп тараан дістерге бір элементке сйкес спектр сызытарыны салыстырмалы интенсивтігімен анытауа негізделген дістер жатады. Осылай плазма температурасы мына формуламен аныталады:

Мндаы 1, 2 - толын зындыы, 1, 2 - озу энергиялары, ( gA)1, (gA)2 - кшу ытималдыы, J 1, J 2 спектрлер интенсивтілігі.

Келесі осы сызытар бойынша электрондарды концентрациясы аныталды. Жоарыдаы алынан температуралар бойынша электрондарды концентрациясы есептелді. Ол шін тмендегі формула олданылды:

Сонымен ЖЖ разрядта бірнеше газ ысымы мен разряд уаты бойынша бірнеше газ температурасы мен электрондарды концентрациясы аныталды. Бл тжірибе бйынша алынан плазма температурасы 2,5 – 7 эВ аралыында, электрондарды концентрациясы 1,2*109 – 5*109 см-3 шамасында екені аныталды. Бл теориялы есептеулерге жне баса авторларды есептеулеріне сйкес келеді.

Бл жоары жиілікте аныталан тозады плазманы динамикалы жне оптикалы асиеттері алдаы уаытта плазмалы тозады рылымдарды баса да асиеттерін анытауа негіз бола алады. Мысалы, блшектерді ос корреляциялы функциясы, диффузия коэффициенті, тозады блшектерді газ спектріне сері, т.с.с. асиеттерін табуа болады.

Бл жмыста ЖЖ разрядты плазмалы тозада рылымдарды динамикалы жне оптикалы асиеттері зерттелген. р трлі тозады блшектер рылымына сйкес тозады блшектерді жылдамды краушылары бойынша таралу функциясы мен абсолют жылдамдытар бойынша таралу функциялары алынды. Осы алынан тажірибе бойынша ЖЖ разрядты уаты скенде, тозады блшектерді температурасыны сетіндігі аныталды.

Сонымен атар, ЖЖ разрядты трлі жадайында газ температурасы мен электрондарды концентрациясы аныталды. Бл алынан натижелер алдаы уаытта тозады плазманы баса да динамикалы жне оптикалы асиеттерін анытауа негіз бола алады.

1. Thomas H., Morfill G., Demmel V., Goree J., Feuerbacher B., and Mohlmann D., Phys.

Rev. Lett. 73, 652 (1994).

2. Chu J.H., and Lin I., Physica A 205, 183 (1994).

3. Цытович В.Н. // УФН. 1997. Т.197. С.57.

4. Фортов В.Е., Храпак А.Г., Храпак С.А., Молотков В.И., Петров О.Ф. // УФН. 2004.

Т.174. №5. С.495-543.

5. Thoma M.H., Kretschmer M., Rothermel H., Thomas H.M., and Morfill G.E. // Am. J.

Phys. 73, 420 (2005).

6. Quinn R.A., Cui C., Goree J., Piper J.B., Thomas H., and Morfill G.E. // Phys. Rev. E 53, R2049 (1996).

7. Kersten H., Thieme G., Frhlich M., Bojic D., Tung D.H., Quaas M., Wulff H., and Hippler R. Pure Appl. Chem., Vol. 77, No. 2, pp. 415–428, 2005.

8. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N., Jumabekov A.N., and Dosbolayev M.K., // Phys.

Plasmas 15, 053704 (2008).

9. Maiorov S.A., Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N., Jumabekov A.N., and Dosbolayev M.K., // Phys. Plasmas 15, 093701 (2008).

10. Орлов Л.Н., Ажаронок В.В. // Журн. прикл. спектр., 66, 715(1999).

11. Ажаронок В.В., И.И. Филатова, Шиманович В.Д., Орлов Л.Н. // J. Appl.

Spectroscopy 69, №5, 658 (2002).

12. Melzer A., Homann A. and Piel A. // Physical Review E, 53, No.3, 2757 (1996).

13. Под редакцией Х. И. Зильберштейна. Спектралных анализ чистых веществ.

Издательство «Химия», 1971.

14. Диагностика плазмы / Под ред. С. Ю. Лукьянова. В. 3. М.: Атомиздат, 1973.

15. Касабов Г.А., Елисеев В.В. Спектроскопические таблицы для низкотемпературной плазмы: Справочник. М.: Атомиздат, 1973.

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЫЛЕВОЙ ПЛАЗМЫ В

ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ЕМКОСТНОМ РАЗРЯДЕ АРГОНА

Т.С. Рамазанов, Т.Т. Данияров, М.К. Досболаев, Ф.Б. Баимбетов, С.А. Оразбаев, К.Б. Жуманов, А.У. Утегенов, В.В. Ажаронок, И.И. Филатова, Л.Е. Кратько Представлены результаты иследования динамических и оптических свойств пылевой плазмы в ВЧ – разряде. Проанализирована зависимость распределения скоростей пылевых частиц от мощности разряда и определены температура и плотность электронов буферного газа. Полученные результаты послужат основы для дальнейших иследований транспортных свойств пылевой плазмы.

INVESTIGATION OF DYNAMICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF DUSTY PLASMA IN

CAPACITIVE RADIO FREQUENCY DISCHARGE OF ARGON

T.S. Ramazanov, T.T. Daniyarov, M.K. Dosbolayev, F.B. Baimbetov, S.A. Orazbaev, K.B. Zhumanov, A.U. Utegenov, V.V. Azharonok, I.I. Filatova, L.E. Krat'ko In present paper the results of the experimental investigations of dynamical and optical properties of dusty plasma in capacitive radio frequency discharge were presented. The dependence of distribution velocity dust particles versus discharge power was derived. The temperature and electron density of background gas were defined. Results of present work can be used in the further investigations of other dynamical and optical properties of dusty plasma.

СОСТАВ ПЛОТНОЙ КВАЗИКЛАССИЧЕСКОЙ ЧАСТИЧНО-ИОНИЗОВАННОЙ

ПЛАЗМЫ УГЛЕРОДА

М.Т. Габдуллин, Т.С. Рамазанов, К.Н. Джумагулова, Р. Редмер* НИИЭТФ, КазНУ им. аль-Фараби, г. Алматы, Казахстан *Институт физики, Ростокский университет, г. Росток, Германия В данной работе на основе эффективных потенциалов взаимодействия частиц, учитывающих как эффекты экранировки на больших расстояниях, так и квантовые эффекты дифракции – на малых, расчитаны снижения потенциалов ионизации атомов и ионов плотной квазиклассической частичноионизованной плазмы углерода (С). Полученные результаты были применены при вычислении равновесного состава плотной квазиклассической углеродной плазмы.

В настоящее время исследователи различных стран проявляют повышенный интерес к плотной или неидеальной плазме, где существенную роль играют взаимодействия структурных элементов системы. Это связано не только с чисто академическим интересом, но и перспективой использования неидеальной плазмы в различных технологических проектах. Например, плотная плазма возникает при ядерных взрывах [1] и сверхзвуковом движении тел в плотных слоях атмосфер планет [2], при реализации идеи импульсного термоядерного синтеза, осуществляемого путем лазерного, электронного, ионного и взрывного обжатия сферической мишени [3] и во многих других случаях, плазматронах и в технологиях использующих газофозные ядерные реакторы [4].

При исследовании любой плотной системы многих частиц необходимо знать потенциал, посредством которого взаимодействуют частицы системы. Такие потенциалы должны учитывать специфические эффекты, присущие указанной области плотностей и температур. В данной работе будем рассматривать плотную квазиклассическую плазму, состоящую из электронов, ионов и атомов. Среднее расстояние между частицами системы:

a = (3 / 4 n)1/ 3. Для удобства описания неустойчивой системы, какой является плазма, удобно пользоваться безразмерными параметрами, характеризующими её состояние с определенными плотностями, температурами и давлениями. Параметр, характеризующий состояние системы - это параметр связи: = ( Ze) 2 / ak BT, где T - температура плазмы, k B постоянная Бальцмана, - отношение между кулоновской энергией взаимодействия и тепловой энергией. Параметр плотности определяется как: rs = a / a B, где a B = 2 / me e 2 радиус Бора. Параметр вырождения для электронной компоненты:

= k BT / EF = 2 ( 4 / 9 ) Z rs /, где E F - энергия Ферми электронов.

Рассматривается гелиевая плазма, состоящая из электронов, однократно и двукратно ионизованных ионов и атомов. Концентрация плазмы равна ne = 1018 1023, cм 3 при температуре Te = 104 106 K.

1 Эффективные потенциалы взаимодействия В данной работе при рассмотрении взаимодействия электрон-электрон и электрон-ион используется эффективный потенциал взаимодействия, учитывающий на малых расстояниях квантовомеханические эффекты дифракции, а на больших - эффекты экранировки. Этот потенциал был получен методом линейного диэлектрического отклика в работе [5]:

где s = e, i, Des = h 3mk BT длина волны де Бройля, rD = kBT 4 ne e2 - радиус Дебая, а В работе [6] методом функции диэлектрического отклика был получен эффективный потенциал, который в данной работе будет использоваться для взаимодействия ион-ионной компоненты:

Влияние атомов на термодинамические свойства частично-ионизованной плазмы проявляется при уменьшении концентрации свободных электронов. А для заряд – атомного взаимодействия в качестве модельного потенциала была выбрана поляризационный эффективный потенциал [7]:

где p - дипольная поляризуемость. Область вещественных значений этого потенциала определяется неравенством:

что является условием применимости псевдопотенциальной модели (1) – (3) и ограничением при расчетах термодинамических функций квазикалссической частично-ионизованной плазмы.

2 Учет взаимодействия частиц в химическом потенциале Взаимодействие частиц определенным образом сказывается на общем энергетическом фоне системы. Это приводит к тому, что характер взаимодействия частиц влияет на значение химического потенциала, который характеризует количество свободной энергии системы, приходящееся на одну частицу:

Используя определение химического потенциала, нетрудно найти поправку к химическому потенциалу:

Что касается остальных термодинамических величин, прежде всего свободной энергии, ее связь с корреляционной функцией более сложна. Она не выражается непосредственно через корреляционные функции с помощью соотношений для внутренней энергии и давления. Свободную энергию F можно найти из известного соотношения Клаузиуса – Гельмгольца:

где E – добавка к энергии плазмы, обусловленная взаимодействием частиц:

Здесь V – объем плазмы; – потенциал взаимодействия частиц сорта.

Из этого соотношения мы можем выразить поправку к свободной энергии системы F, обусловленную взаимодействием частиц, через параметр связи = ( n, T ) и корреляционную энергию E с помощью термодинамического соотношения:

Для получения поправки к химическому потенциалу подставим соотношение (8) в (9) и результат продифференцируем с помощью уравнения (6). Эти уравнения решались численными методами.

3 Состав и термодинамические свойства плазмы углерода В данном разделе исследуется ионизационное равновесие частично ионизованной углеродной плазмы, состоящей из электронов, атомов, однократно, …, k-кратно ионизованных ионов. Общая плотность ионов в такой плазме определяется как:

ni = n1+ +... + nk +.

Если пренебречь образованием молекул и нейтральных кластеров, то в такой плазме происходят следующие ионизационные процессы между частицами различных сортов:

е k -кратность заряда;

Eion = 11, 26 еВ – энергии основного состояния однократно ионизованных ионов;

Eion = 24,384 еВ – энергии основного состояния двукратно ионизованных ионов;

Eion = 47,89 еВ – энергии основного состояния трехкратно ионизованных ионов;

Eion = 77, 47 еВ – энергии основного состояния четырехкратно ионизованных ионов;

Eion = 392, 09 еВ – энергии основного состояния пятикратно ионизованных ионов;

Eion = 492, 00 еВ – энергии основного состояния шестикратно ионизованных ионов.

Плотность частиц может быть получена из системы уравнений, выражающей условие химического равновесия при заданных температурах и полной плотности частиц [8,9]:

где Eion, Eion – энергии основного состояния однократно и двукратно ионизованых ионов, µe, µ0, µ1+,..., µ5+ – химические потенциалы. Тогда выражение для химического потенциала для неидеальной плазмы можно записать как:

Для атомов и ионов идеальную часть химического потенциала можно выразить следующим выражением:

где для углерода спиновый фактор g0=1, g1=2, g2=1,…, g6=1.

Записанные соотношения позволяют записать систему уравнений Саха для расчета состава плазмы с максимальной кратностью ионизации, равной двум, следующим образом:

неидеальность к химическим потенциалам и приводят к сдвигу химического равновесия относительно идеального газового приближения Саха. Поправки к химическому потенциалу заряженной подсистемы рассчитывались на основе эффективных потенциалов взаимодействия (1) и (2).

Для решения такой системы необходимо ее дополнить еще двумя уравнениями, законом сохранения числа ядер:

и законом сохранения полного заряда в системе:

Данная система уравнений решалась численными методами. Поправка, обусловленная поляризационным взаимодействием зарядов с нейтралами, рассматривалась в приближении вириального коэффициента B [8,9]:

Состав углеродной плазмы был получен с помощью численных методов. Результаты расчетов представлены на рисунках 1-2. Снижения потенциала взаимодействия в углеродной плазме решалось на основе потенциалов (1) - (3). На рисунке 1 представлены кривые относительных долей сортов частиц в зависимости от температуры при постоянной концентрации n = 10 / cm. С увеличением температуры концентрация электронов в системе растет. На рисунке 2 кривые относительных долей сортов частиц в зависимости от температуры при постоянной концентрации n = 1.4 10 / cm в сравнении с результатами PROMTA04 [10]. Отличие кривых обусловлено использованием различных методов.

Результаты хорошо согласуются с результатами других авторов.

Далее полученные результаты были использованы при расчете равновесного состава и влияния эффектов неидеальности на поведения ионизационной кривой (рисунок 2). Было показано, что учет квантового эффекта дифракции сдвигает ионизационную кривую в область низких степеней ионизации по сравнению с классической (дебаевской) теорией.

nk+/n Рисунок 1. - Состав неидеальной C плазмы Рисунок 2. - Состав неидеальной C плазмы при n = 10 / cm как функция от температуры Таким образом, на основе проведенных исследований в данной работе можно заключить, о том, что в рамках используемых эффективных потенциалов взаимодействия частиц можно адекватно рассчитать термодинамические характеристики и равновесный состав плотной частично-ионизованной углеродной плазмы. Так как в плазме, находящейся в таком состоянии, учет на больших расстояниях эффектов экранировки, а на малых – квантовых эффектов дифракции становится необходимым.

Работа была выполнена в рамках гранта ИРИ - 8/2009 Министерства образования и науки Республики Казахстан.

Литература 1. Ragan C.E., Silbert M.G., Diven B.C. Shock compression of molybdenum to 2.0 TPa by means of a nuclear explosion // J. Appl. Phys. - 1997. - Vol. 48. - P. 2860.

2. Кучеренко В.И., Павлов Г.А., Грязнов В.К., Сон Э.Е., Фортов В.Е.

Теплофизические свойства плазмы смеси гелия с водородом. - Черноголовка: Препринт ОИХФ, 1978. - С. 209.

3. Прохоров А.М., Анисимов С.И., Пашинин П.П. Лазерный термоядерный синтез // УФН. - 1976. - Т. 119. - С. 401.

4. Thom K., Schneider R.T. Research of Uranium Plasmas and their Technological Applications // Proceedings of Symposium in Gainesvills Florida / ed. NASA. - Washington, 1971.

- P. 115.

5. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N. Effective screened potentials of strongly coupled semmiclassical plasma // Phys. Plasmas. 2002, vol.9, No.9, p.3758-3761.

6. Габдуллин М.Т. Эффективный потенциал ион-ионного взаимодействия и структурные свойстваплотной квазиклассической плазмы // Вестник КазНУ. Серия физическая. - 2006. - № 2. - С. 26-29.

7. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N., Omarbakiyeva Yu.A. Effective polarization interaction potentials «charge-atom» for the partially ionized dense plasma // Phys.Plasmas. – 2005. - Vol.12. - 092702.

8. Redmer R. Electrical conductivity of dense metal plasmas // Phys.Rev. 1998, vol.59, No.1, p.1073-1081.

9. Redmer R., Rpke G. Formation of clusters in dense alkali plasmas // Contrib. Plasma Phys. - 1989. - Vol. 29. - P. 343.

10. Haun J., Kosse S., Kunze H.-J., Schlanges M., Redmer R. Contrib. Plasma Phys. 41, 2ТЫЫЗ КВАЗИКЛАССИКАЛЫ ЖАРТЫЛАЙ-ИОНДАЛАН КМІРТЕГІ

ПЛАЗМАСЫНЫ РАМЫ

М.Т. абдуллин, Т.С. Рамазанов,.Н. Жмаулова, Р. Редмер Бл жмыста алыс араашытыта экрандалу эффектісін жне жаын араашытыта дифракцияны квантты эффектілерін ескеретін блшектерді зара серлесу псевдопотенциалды моделдері негізінде жартылай иондалан квазиклассикалы кміртегі плазмасыны иондары мен атомдарыны иондалу потенциалыны азаюы есептелген. Алынан нтижелер тыыз квазиклассикалы кміртегі плазмасыны тепе-тедіктегі рамын есептеу шін олданылды.

COMPOSITION OF A DENSE SEMICLASSICAL PARTIALLY IONIZED CARBON PLASMA

M.T. Gabdullin, T.S. Ramazanov, K.N. Dzhumagulova, R. Redmer The composition of a dense semiclassical partially ionized carbon plasma were calculated on the basis of modified Saha equation. The lowering of ionization potentials was derived by the effective potentials, witch take into account diffraction effects on the small distance and screening effects on the long distance.

МОДЕЛИРОВАНИЕ СВОЙСТВ ПЫЛЕВОЙ ПЛАЗМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА

В СМЕСИ АРГОНА И ГЕЛИЯ

С.К. Коданова, Т.С. Рамазанов, Г.И. Сухинин 1,2, А.В. Федосеев1, Н.Х. Бастыкова НИИЭТФ, Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Представлены результаты численного решения уравнения Больцмана в двучленном приближении с учетом упругих и неупругих столкновений электронов в смеси аргона и гелия. С использованием полученных функций распределения электронов по энергиям получены температура электронов и потенциал пылевых частиц в зависимости от концентрации атомов аргона.

Пылевая плазма активно исследуется в нескольких направлениях. В лабораторных условиях пылевая плазма активно исследуется в ВЧ-разрядах или в стратифицированных тлеющих разрядах постоянного тока в благородных газах (аргон, неон, гелий) при давлениях p = 0.1-10 Торр [1-4]. Наряду с экспериментом большое значение имеет также численное моделирование пылевой системы. В работе [5] приведены результаты расчетов характеристик дрейфов ионов в собственных газах и некоторых смесях. Разряд в смеси легкого и тяжелого газа приводит к появлению особенностей в функции распределения ионов по скоростям, которые могут оказывать существенное влияние на характеристики пылевых структур. Так как, первые эксперименты с использованием разряда в смеси гелия с добавкой незначительного количества более тяжелого газа (аргона) показали значительное изменение свойств пылевых структур в таком разряде [6], поэтому для понимания сложнейших процессов в пылевой плазме большое значение имеет изучение нелокальной электронной кинетики в низкотемпературной плазме разряда малой плотности, нахождение функции распределения электронов в стратифицированном разряде, выявление эффектов взаимовлияния пылевых частиц на параметры плазмы.

В общем случае функция распределения электронов F (r, v) по скоростям v в точке r определяется из решения уравнения Больцмана:

где в правой части представлены интегралы столкновений, учитывающие упругие, различные неупругие и ионизационные столкновения.

Мы рассмотрим стационарное распределение электронов в пространственно однородном случае для электрического поля, имеющего только одну компоненту Ez=E.

ФРЭЭ можно разложить в ряд по полиномам Лежандра. Оставив первые два члена разложения (двучленное приближение), ФРЭЭ будет иметь вид:

где u = mv 2 / 2 – кинетическая энергия электронов, скалярные f 0 (u ) – изотропная часть ФРЭЭ, f z (u ) – анизотропная часть ФРЭЭ.

Подставляя разложение (2) в уравнение (1), получим систему уравнений для изотропной и анизотропной частей ФРЭЭ.

Здесь введены функции, зависящие от парциальных плотностей компоннт газовой смеси и процессов, определяемых упругими и неупругими процессами столкновения электронов с атомами смеси:

G (u ) - член, описывающий потери энергии в упругих столкновениях, S 0 (u ) – член, описывающий появление электрона с энергией u в результате столкновения электрона с более высокой энергии u+uk в неупругом процессе (возбуждение или ионизация).

Q kexl (u ) - сечение возбуждения атома сорта k из основного состояния в возбужденной l–ое состояние электроном с кинетической энергией u, Qkio (u ) - сечение ионизации атома сорта k из основного состояния, Qkm (u ) - моментное (диффузионное) сечение столкновения электрона с атомом сорта k, k=Nk/N - парциальная концентрация газа сорта k=(Ar,Ne,He), N = N k k полная плотность газа.

Из системы уравнений (3, 4) и (5-8) видно, что в однородном электрическом поле как изотропная, так и анизотропная части ФРЭЭ зависят от приведенного электрического поля и от парциальных концентраций смеси газов.

Плотность электронов ne и средняя энергия электронов Т e определяются интегралами изотропной части ФРЭЭ:

В данной работе будем использовать общепринятую модель ограниченного орбитального движения электронов (orbit motion limited (OML) theory) [8-10], а также будем учитывать столкновение электронов с пылевыми частицами и пренебрегать влиянием образования вокруг частицы захваченных ионов [11-13].

Потоки электронов и ионов на поверхность частицы соответственно равны [7]:

где f 0 (u ) - изотропная часть функции распределения электронов по энергии, f i (V ) сдвинутое максвелловское распределение ионов по скоростям, u – кинетическая энергия электронов, сap,e, сap,i - сечения поглощения электронов и ионов пылевой частицей.

Сечения поглощения электронов и ионов пылевой частицей зависят от скорости (или кинетической энергии) имеют вид:

где me(i) – масса электронов и ионов, v и V – скорость электронов и ионов, u=mev2/2 – кинетическая энергия электронов. Потенциал поверхности пылевой частицы s относительно невозмущенной плазмы принят отрицательным. Ионы предполагаются однозарядными.

Стационарный потенциал поверхности пылевой частицы и ее заряд определяется равенством потоков электронов и ионов, поглощаемых частицей:

т.е. через неравновесную функцию распределения электронов, формирующейся в разряде в результате набора энергии электронами в электрическом поле и потери энергии в упругих и неупругих столкновениях с атомарными частицами.

В настоящей работе проведены расчеты ФРЭЭ в смеси инертных газов из двухчленного уравнения Больцмана в зависимости от приведенного электрического поля E/N при различных концентрациях инертных газов. На рис. 1 и рис. 2 приведены ФРЭЭ в чистых инертных газах в смеси аргона и гелия при E/p =4 V/cm/Torr (рис. 1) и E/p =20 V/cm/Torr (рис.2) для различных значений концентрации атомов аргона Ar.

Из результатов видно, что функция распределения электронов по энергии в смеси инертных газов зависит от приведенного электрического поля и от парциальной концентрации компонент газа. На рис.3 приведена зависимость отношения частоты ионизации атомов аргона к полной частоте ионизации смеси Ar+He в зависимости от концентрации атомов аргона Ar для различных значений приведенного электрического поля:

E/p = 1, 2, 5, 10, 20 В/cм/торр. По найденным распределениям ФРЭЭ и значениям приведенного электрического поля получены температура электронов и распределения потенциалов пылевых частиц, помещенных в плазму разряда.

-3/ f0(eV) На рис.4 представлена средняя температура электронов Te в смеси Ar+He в зависимости от концентрации атомов аргона Ar для различных значений приведенного электрического поля:

E/p = 2, 4, 10, 30, 50 В/cм/торр.

При малых E/p в чистом гелии электроны не успевают разогнаться в электрическом поле до высоких энергий, когда они могут возбуждать или ионизовать атомы гелия. Средняя энергия электронов, пропорциональная “температуре” электронов, определяется главным образом потерей энергии в упругих столкновениях. При высоких значениях E/p начинают играть роль неупругие столкновения. Температура электронов повышается, растет частота ионизации атомов гелия.

На рис.5 приведена функция распределения электронов по энергии в десятипроцентной смеси аргона в гелии в зависимости от потенциала пылевых частиц. На рис.6 представлен потенциал пылевых частиц в смеси Ar+He в зависимости от концентрации атомов аргона Ar для различных значений приведенного электрического поля:

E = 2, 4, 10, 30, 50 В/см.

-3/ f0(eV) Из представленных результатов видно, что чем меньше потенциал поверхности пылевой частицы, тем большее число электронов могут попасть на нее, так как им надо преодолеть меньший потенциал. Поэтому для s = 2 эВ функция распределения электронов по энергиям имеет наименьшее число высокоэнергетичных электронов. Из рис.6 видно, что потенциал (заряд) пылевых частиц существенно зависят как от величины приведенного электрического поля, так и от концентраций бинарной смеси газа.

1. Thomas H., Morfill G., Demmel V., Goree J.//Phys. Lett. 73, 652 (1994) 3. Fortov V.E., Molotkov V.I., Nefedov A.P., Petrov O.F., Physics of Plasmas 6, (1999).

4. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N., Jumabekov A.N., Dosbolaev M.K. Phys.Plasmas 15, 053704 (2008) 5. D.V. Popova, S.A. Maiorov, S.N. Antipov, O.F. Petrov, V.E. Fortov, Book of Abstracts of Fifth International Conference on Physics of Dusty Plasmas, (Ponta Delgada, Azores, 2008), p. 6. S.A. Maiorov, T.S. Ramazanov, K.N. Dzhumagulova, A.N. Jumabekov and A.N.Dosbolaev // Phys. Plasmа, 15, 093701 (2008).

7. G. I. Sukhinin and A. V. Fedoseev. - Plasma Physics Reports, 33, 1023 (2007) 8. P.M. Chung, L. Talbot, K.J. Touryan. Electric Probes in Stationary and Flowing Plasmas: Theory and Application (New York: Springer-Verlag (1975) 9. J.E. Allen. Phys. Scripta 45 497 (1992) 10. J. Goree. Plasma Sources Sci. Technol. 3 400 (1994).

11. M. Lampe, R. Goswami, Z. Sternovsky, S. Robertson, V. Gavrishchaka, G. Ganguli, and G. Joyce. - Phys. Plasmas, 10, 1500 (2003).

12. I. H. Hutchinson and L. Patacchini. - Physics of Plasmas, 14, 013505 (2007) 13. A.V. Zobnin, A.D. Usachev, O.F. Petrov, V.E. Fortov. – Physics of Plasmas, 15, (2008).

АРГОН МЕН ГЕЛИЙ ОСПАСЫНДА СОЛЫН РАЗРЯДТАЫ ТОЗАДЫ ПЛАЗМАНЫ

АСИЕТТЕРІН МОДЕЛДЕУ

С.К. оданова, Т.С. Рамазанов, Г.И. Сухинин, А.В. Федосеев, Н.Х. Бастыкова Аргон мен гелий оспасында электрондарды серпімді жне серпімсіз сотыыстарын ескере отырып екі мшелік жуытауы арылы Больцман тедеуін санды шешу нтижелері крсетілген.

Электрондарды температурасы мен тозады блшекті потенциалыны аргон атомыны концентрациясынан туелділігі электрондарды энергия бойынша таралу функциясы арылы есептелінді.

SIMULATION OF PROPERTIES OF DUSTY PLASMA ARGON-HELIUM DISHARGE

S.K. Kodanova, T.S. Ramazanov, G.I. Sukhinin, A.V. Fedoseev, N.H. Bastikova The numerical results of calculation of the Boltzmann equation in the two member approach, which takes into account elastic and not elastic collisions of electrons in argon and helium mixture, are presented.

On the basis of electron energy distribution function of energy the temperature of electrons and potential as a function of concentration of argon atom were derived.

ЧАСТОТА СТОЛКНОВЕНИЙ И ДЛИНА СВОБОДНОГО ПРОБЕГА ЭЛЕКТРОНОВ

ЧАСТИЧНО-ИОНИЗОВАННОЙ ВОДОРОДНОЙ ПЛАЗМЫ

НИИЭТФ, Казахский национальный университет им. аль-Фараби г. Алматы Исследовано явление убегания электронов частично-ионизованной водородной плотной плазмы. Определены зависимости частоты столкновений и длины свободного пробега электронов от параметров связи и плотности частиц плазмы на основе моделей неидеальной классической и квазиклассической плазмы. Показано, что для определенных интервалов параметра связи плазмы различие в значении частоты столкновений и длины свободного пробега электронов для моделей плазмы существенны.

В устройствах, предназначенных для нагревания плазмы замкнутыми разрядными токами, ускорение электронов в вихревых полях является паразитным эффектом, который может оказаться ответственным за возникновение различных видов неустойчивости плазменного витка и дополнительных потерь энергии. На его основе созданы так называемые открытые разряды, используемые, в частности, для накачки лазеров [1]. В экспериментах по УТС локализованное выделение энергии убегающими электронами составляет одну из основных энергетических проблем. Именно быстрые (ускоренные) электроны определяют скорость ионизации и константы скоростей возбуждения нейтральных компонентов плазмы по сравнению с остальными электронами плазмы [2,3].

В данной работе рассматривается полностью ионизованная плазма с плотностью частиц n = ne + ni + na = (1017 1023 ) cm 3 и температурой T = 10 4 10 6, а также использованы безразмерные параметры, характеризующие систему: параметр связи = e 2 /(ak BT ) ; параметр плотности rS = a / aB. Здесь a, rD, aB - среднее расстояние между частицами, радиусы Дебая и Бора, соответственно.

В настоящей работе для описания взаимодействия заряженных частиц в квазиклассической частично-ионизованной плазме используется эффективный псевдопотенциал, учитывающий как коллективные эффекты, так и квантовые эффекты дифракции экранирующих частиц [4].

заряды и частиц, приведенная масса - частиц, rD = k BT 4 e 2 n j Z 2 - радиус Дебая.

Влияние атомов на эффект убегания электронов в частично-ионизованной плазме увеличивается с уменьшением плотности свободных электронов. Известно, что в плазме эффект поляризации играет большую роль во взаимодействии заряженных частиц с атомами. В настоящей работе в качестве модельного потенциала взаимодействия «зарядатом» была использована экранированная версия потенциала Букингема [5], которая выглядит следующим образом:

D - дипольная поляризуемость, для водородной плазмы D = 4,5 aB 3 ; r0 где характерный размер экранированного атома, для атома водорода r0 = 1, 4565 aB.

Также в качестве модельного потенциала взаимодействия «заряд-атом» в частичноионизованной плотной квазиклассической плазме был использован поляризационный потенциал, учитывающий эффекта экранировки и кванто-механических эффектов [6]:

Суть явления убегания электронов плазмы, находящейся во внешнем электрическом поле, заключается в том, что основная масса электронов на длине свободного пробега получает от поля больше энергии, чем теряет в упругих столкновениях, и электроны непрерывно ускоряются, которое давно предсказано [7]. В случае частично-ионизованной плазмы вероятность убегания электронов определятся их частотами столкновениями [8]:

где e – скорость электронов; e - транспортное сечение рассеяния частиц. В данной работе транспортные сечения рассеяния частиц рассчитывались методом фазовых функций [9]:

Здесь фазовые сдвиги ie были получены из решения уравнение Калоджеро с помощью потенциала взаимодействия:

где j l (kr ) и nl (kr ) - известные функции Рикатти-Бесселя.

Состав частично-ионизованной водородной плазмы рассчитан с помощью уравнение Саха с учетом снижения потенциала ионизации, вызванного взаимодействия заряженных частиц системы. Определяя степень ионизации = как отношение числа свободных электронов к полному числу электронов в плазме, запишем уравнение Саха в виде [10]:

Энергия ионизации для водорода численно равна I 13.6 эВ, I - снижение потенциала ионизации, которая определяется с помощью химического потенциала.

Уравнение Саха решалось численными методами (методом Ньютона для решения нелинейных уравнений).

частицами = / p квазиклассической частично-ионизованной водородной плотной плазмы от параметра связи при В рисунках 1-2 приведены результаты расчетов частоты соударений частиц квазиклассической частично-ионизованной водородной плотной плазмы. На рисунке представлена зависимость приведенной частоты столкновений электронов = / p, где p = 4 ne e 2 / me - плазменная или ленгмюровская частота, от параметра связи при rS = 11.727. На рисунке также нанесена частота столкновений частиц, взаимодействующих посредством потенциала Дебая-Хюккеля. Как следует из этой зависимости частота столкновений электронов, взаимодействующих между собой посредством эффективного потенциала (1), при некоторых значениях параметра связи начинает спадать. По-видимому, это связано, с тем, что с ростом параметра связи вероятность рассеяния частиц уменьшается, т.е. сечение рассеяния уменьшается [11]. Частота столкновения электронов, взаимодействующих между собой посредством эффективного потенциала, стремится асимптотически к результатам разреженной плазмы при малых значениях параметра связи.

На рисунке 2, где видно что, частота соударений частиц увеличивается с увеличением плотности частиц.

Рисунок 3 - Зависимости длины свободного пробега электронов l* = l / aB квазиклассической частично-ионизованной водородной плотной плазмы от параметра связи при rS = 11. Длина свободного пробега электронов l = e / ve = 1/ n tr быстро растет с увеличением энергии в сильноионизованной плазме, где частота столкновений электронов с ионами много больше частоты их столкновений с нейтральными атомами, т.е. во внешнем электрическом поле электроны между столкновениями набирают энергию, сравнимую с тепловой и быстро ускоряются [12]. Зависимости длины свободного пробега электронов от параметра связи плазмы представлены на рисунке 3. Известно, что длина свободного пробега электронов уменьшается с увеличением плотности и сечения рассеяния частиц. Но с увеличением параметра связи на кривой длины свободного пробега, полученной на основе эффективных потенциальной моделях (1)-(3), появляется минимум, что связано с возрастанием роли экранированных и квантовых эффектов, что приводит к уменьшению сечения рассеяния частиц.

Для оценки относительного числа убегающих электронов в плотной плазме при E0 Eкр используем уравнение движения электронов в электрическом поле [13]:

где ei, u и Te - частота столкновений частиц, упорядоченная и тепловая скорости электронов, соответственно. Очевидно, в режим ускорения попадут электроны, начальные скорости которых вдоль электрического поля больше их тепловой скорости. Введем величину критической упорядоченной скорости электронов следующим образом:

Относительное число убегающих электронов N r / N e во внешнем электрическом поле E0 Eкр определяется следующим выражением:

где ( x) = e dx - интеграл ошибок, который в данной работе решается численным методом Симпсона.

Результаты относительного числа убегающих электронов, полученные на основе квазиклассических моделях плазмы, представлены на рисунке 4. Для сравнения, на этом же рисунке нанесены данные расчета силы трения в приближении полной ионизации плазмы.

Сравнение показывает, что наличие нейтральных частиц приводит к уменьшению относительных чисел убегающих электронов, особенно при малых энергиях (скоростях) частиц.

Рисунок 4 - Зависимость относительного числа убегающих электронов N r / N e квазиклассической частично-ионизованной водородной плотной плазмы от температуры Из полученных результатов можно заключить, что в плотной плазме вероятность убегания электронов увеличивается, что связан с уменьшением эффективных прицельных параметров рассеяния в неидеальной плазме или с уменьшением частоты столкновений электронов в плотной плазме, а также с образованием некоторых упорядоченных структур в неидеальной плазме [14].

Литература 1 Бабич Л.П., Лойко Т.В., Цукерман В.А. // УФН. - 1990. -Т. 160, №7. - С. 49.

2 Sharma A.S. Jayakumar R. // Nucl. Fusion. - 1988. - Vol. 28, № 3. - P. 491.

3. N.P. Kozlov, Yu.S. Protasov, G.E. Norman. Phys.Lett. 77A, 1980, 445.

4. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N. Phys. Plasmas. 9. 3758 (2002) 5. Redmer R. Phys. Rev. E. 59, 1073 (1999) 6. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N., Omarbakiyeva Yu.A., Roepke G. J.Phys.A: Math.

And Gen. 39. 4369 (2006) 7. Dreicer H. Phys. Rev. 115, 238 (1959) 8. Смирнов Б.М. УФН, т.172, 12, 2002,1411.

9. Babikov V.V. Phase function method in quantum mechanics – М.:Nauka, 1976. – 287 p.

10. Ramazanov T.S., Dzhumagulova K.N., Gabdullin M.T. J. Phys. A: Math. Gen. 39, 249 (2006).

11. Ramazanov T.S., Turekhanova K.M.. Contrib. Plasma. Phys. 43, 2003, 338.

12. Голант В.Е. Физика плазмы. – М.Наука, 1977.

13. Александров А.Ф., Богданкеевич Л.С. Основы электродинамики плазмы. - М.:

Наука, 1978. - C. 204.

14. Ramazanov T.S., Turekhanova K.M. // Phys. Plasmas. 12, 102502 (2005)

ЖАРТЫЛАЙ ИОНДАЛАН СУТЕКТІ ПЛАЗМАДЫ ЭЛЕКТРОНДАРДЫ СОТЫЫСУ

Сырты электр рісіндегі идеал емес плазма электрондарыны «зымырау» былысы зерттелген. Электрондарды еркін жру зындыыны плазма тыыздыына жне байланыс параметріне туелділіктері алынан. Классикалы жне квазиклассикалы идеал емес плазма модельдері шін зымыраыш электрондарды салыстырмалы сандары есептелген.

THE LENGTH OF FREE RUN AND RELATIVE NUMBER

OF RUNWAY ELECTRONS IN NONIDEAL PLASMA.

In this work the effect of electron runaway is investigated for nonideal plasma. The dependences of free run length of electrons on plasma density and nonideality parameters are obtained. The relative number of runaway electrons on their velocity or temperature is considered for classical and semiclassical models of nonideal plasma.

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛОТНЫХ КУЛОНОВСКИХ СИСТЕМ

*Валенсийский политехнический университет, Испания Показана возможность вычисления функции локальных полей, описывающей влияние короткодействия в приближении хаотических фаз, в рамках метода моментов для однокомпонентной плазмы (ОКП), без дополнительных условий. Численно и аналитически проанализированы дисперсия плазменных волн и декремент затухания.

Для анализа свойств плотных кулоновских систем зачастую необходимо знание их диэлектрических характеристик, что позволяет рассчитать дисперсию и декремент затухания плазменных волн и исследовать как линейные, так и нелинейные волновые процессы, протекающие в этих системах [1-6].

Известно, что описание коллективных процессов в двухкомпонентной плазмы (ДКП) [1-4], зачастую, является более сложной процедурой, чем в модели ОКП [5,6] и при этом могут быть использованы самые разнообразные методы. Например, в [5] проведены молекулярно-динамические исследования свойств плотных кулоновских систем.

Моделировалась однокомпонентная плотная плазма, в которой, наряду со статическими и динамическими структурными факторами, изучалась и дисперсия плазменных волн. Другой подход к исследованию эволюции высокочастотных мод основан на методе линейного диэлектрического отклика [1-3,5,6], с помощью которого можно учесть как квантовые эффекты, так и эффекты неидеальности. В последнее время активно развивается метод моментов [4,7], позволяющий рассчитывать динамический структурный фактор и определять дисперсию плазмонов. При этом следует отметить, что в отличие от модели ДКП, в ОКП не требуется введение каких-либо дополнительных условий, например, использование псевдопотенциалов.

В частности, в [8] показано, что динамическая функция локальных полей (ДФЛП), G ( k, ), в рамках модели ОКП может быть рассчитана методом моментов с использованием, в качестве параметра, функции класса Неванлинны, а время релаксации для ОКП, обратно пропорциональное свободному параметру – статическому значению функции Неванлинны, может быть определено как в [9].

Задачей настоящей заметки является исследование и анализ выражения для ДФЛП в ОКП, найденного методом моментов и соответствующего выражения, полученного в вязкоупругом приближении [10] с последующим вычислением дисперсионных характеристик плазменных волн.

2. Метод моментов для ОКП В качестве потенциала межчастичного потенциала взаимодействия используем потенциал Кулона а для описания состоянии плазмы – параметр связи Здесь введен радиус Вигнера-Зейтца где e – заряд электрона, k Б – постоянная Больцмана, T – температура, n – концентрация частиц.

Как известно [7], использование метода моментов позволяет определить диэлектрические свойства кулоновской системы, используя несколько первых моментов функции потерь Im r, которые можно рассчитать зная потенциал межчастичного взаимодействия и статический структурный фактор S ( k ). Последний может быть вычислен из решения уравнения Орнштейна-Цернике в гиперцепном приближении, как это было сделано, например, в [11] для двухкомпонентной плазмы.

Запишем формулу Неванлинны, определяющую диэлектрические свойства среды, в виде здесь 12 = C2 (k ) / C0 (k ), 2 = C4 (k ) / C2 (k ), Q(k, z ) – такая функция класса Неванлинны, что lim ( Q ( k, z ) / z ) = 0, Im z 0. Параметры Cv (k ) определены как степенные частотные моменты четной функции потерь:

Вычисление моментов позволяет записать выражения для них в виде Здесь – квадрат средней тепловой скорости электронов, m – их масса, h – постоянная Планка, а Сравним выражение для диэлектрической проницаемости (4) с известным значением (k, ) в приближении хаотических фаз с учетом поправки на локальное поле из [10] где а z вещественно. Таким образом, можно определить ДФЛП в следующем виде:

Ясно, что выражение для ДФЛП (11) можно переписать в виде где при условиях A( k,0) + ( k ) = G ( k ), A(k,0 ) = I (k ) = U (k ) получается выражение, в точности совпадающее с интерполяционной формой ДФЛП из [10], Отличие между (11) и (12), (13) состоит в учете зависимости A( k, ) от частоты.

3. Дисперсия волн в ОКП Используя соотношения (11) и (12), нетрудно изучить зависимость ДФЛП G ( k, ) от ее аргументов. Трехмерные графики ДФЛП представлены на рисунках 1 и 2.

найденной по формуле (11).

Как видно из рисунков, графики G ( k, ) существенно отличаются, причем (11) имеет более сложный вид, что обусловлено учетом зависимости функции A( k, ) от частоты. Для нулевой частоты оба графика сводятся к статической G ( k ).

На рисунках 3-5 приведены спектры и декремент затухания, рассчитанные из (10) с учетом выражения (11). Нетрудно заметить, что с ростом параметра связи, частота плазменных волн убывает, а декремент затухания увеличивается (рис. 3 и 4), что согласуется с данными других работ [2,6].

Рисунок 3 Спектр плазмонов: 1-пунктирная линия для Г=1, 2-сплошная линия для Г=2.

Рисунок 4 Декремент затухания плазмонов: 1- сплошная линия для Г=2, 2-пунктирная Особый интерес представляет отличие зависимостей (k ), рассчитанных с использованием формул (11) и (13) для G ( k, ), рисунок 5. Кривая (k ) с использованием формулы (11) лежит на графике ниже, чем для формулы (12), что обусловлено более полным учетом функциональной зависимости ДФЛП от частоты.

Использованный способ расчета ДФЛП с привлечением метода моментов показывает отличие ранее полученных результатов [8,10] от данных настоящей заметки, вследствие более полного учета функциональных зависимостей коэффициентов, входящих в выражение для ДФЛП.

Рисунок 5 Спектр плазменных волн (см.(10)): 1 – для расчета дисперсии использовано G (k, ) из формулы (11), 2 – для расчета дисперсии использовано G (k, ) из формулы Показана возможность расчета дисперсионных характеристик плотных кулоновских систем с использованием метода моментов в модели однокомпонентной плазмы. Графически проанализированы зависимости частоты и декремента затухания плазменных волн от волновых чисел для различных выражений динамической функции локальных полей.

Полученные результаты согласуются с данными других авторов.

Литература 1. Arkhipov Yu. V., Baimbetov F.B., Davletov A.E. Electrodynamic properties of dense high-temperature plasmas// Journal of Physics IV France, 2000, v.10, p. 2. Архипов Ю.В., Баимбетов Ф. Б.,Давлетов А.Е.,Стариков К.В. Псевдопотенциальная теория плотной высокотемпературной плазмы Издательство “Казак Университеты” 2002г.

3. Архипов Ю.В. Дисперсия плазмонов в плотной квазиклассической плазме// В сб.

“Проблемы эволюции открытых систем”, Вып.4.- Алматы, 2002.- C.12.

4. Архипов Ю.В., Аскарулы А., Давлетов А.Е., Ашикбаева А.Б., Ткаченко И.М.

Дисперсия плазменных волн в плотных кулоновских системах// Тезисы 10 Международной конференции «Проблемы эволюции открытых систем», Алматы, 6-8 октября 2008 г, с.3.

5. Hansen J.-P., McDonald I.R., Pollock E.L. Statistical mechanics of dense ionized matter.

111. Dynamical properties of the classical one-component plasma// Phys.Rev. A, 1975, V.11, N 3, P.1025.

6. Hansen J.P. Plasmon dispersion of the strongly coupled one component plasma in two and three dimensions//J.Physique Lettres, 1981. V.42 L 397.

7. Arkhipov, Yu.V., Askaruly, A., Ballester, D., Davletov, A.E., Meirkanova, G.M., Tkachenko, I. M. Collective and static properties of model two component plasmas // Phys. Rev. E.

- 2007. - Vol. 76. - P. 026403.

8. Архипов Ю.В., Аскарулы А.А., Иманкулиева А., Меирканова Г.М., Ткаченко И.М.

О связи между динамической функцией локальных полей и параметром Неванлинны метода моментов в однокомпонентной полностью ионизованной плазме// Вестник КазНУ сер физ.мат.-2008.- №2- С.205-209.

9. Arkhipov Yu. V., Askaruly A., Tkachenko I.M. The OCP relaxation time: the moment method VS. The corrected RPA// Вестник КазНУ сер физ.-2008.- №3- С.8-11.

10. Ishimaru S. Statistical Plasma Physics Volume II: Condensed Plasmas 11. Arkhipov Yu. V., Ashikbaeva A.B., Baimbetov F.B., Davletov A.E., Starikov K.V..

Dissipation of plasmons in semiclassical plasmas.// IV International conference “Plasma Physics and Plasma Technology”, Contributed Papers, 2003 v.1, p.233.

ТЫЫЗ КУЛОНДЫ ЖЕНІ ДИЭЛЕКТРЛІК АСИЕТТЕРІ

Ю.В. Архипов,. Асарлы,.Б. Ашыбаева, А.Е. Давлетов, И.М. Ткаченко Хаосты фазалар жуытауындаы идеал еместікті серін тзетуді ескеретін, локальді ріс функциясы бір компонентті плазма шін моменттер дісі аясында, осымша шарттарды енгізуінсіз есептелінді. Санды жне аналитикалы трде плазмалы толындарыны шуіні декременті мен дисперсиясы талданып тексерілген.

DIELECTRIC PROPERTIES OF DENSE COULOMB SYSTEMS

Yu.V. Arkhipov, A. Askaruly, A.B. Ashikbaeva, A.E. Davletov, I.M. Tkachenko The possibility to calculate the dynamic local field correction, describing the amendment to the random phase approximation due to the nonideality effects, is demonstrated for one-component plasmas (OCP) in the framework of the moment method without making any additional assumptions. Plasma wave dispersion and decrement are analyzed both numerically and analytically.

ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ И ПРОБЛЕМЫ

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ

СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ ОТДЕЛЯЕМЫХ ПЛЕНОК AlAs-GaAs

В.С. Антощенко, Ш.Б. Байганатова, Т.И. Таурбаев, Ю.В. Францев НИИЭТФ, Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы Методом жидкофазной эпитаксии с использованием лишь одного раствора-расплава сформирован тонкопленочный фотопреобразователь со структурой Аu/n - GaАs/n+ - GаАs/n – AlGaAs.

Полученные результаты показывают перспективность применения отделяемой технологии для создания приборов микро- и оптоэлектроники.

Использование свободно расположенных монокристаллических пленок в полупроводниковой технологии позволяет создавать более дешевые полупроводниковые приборы с улучшенными электрофизическими характеристиками для микро- и оптоэлектроники. Одним из методов формирования тонкопленочных приборных структур на основе арсенида галлия является метод отделяемого роста из раствора-расплава, позволяющий формировать совершенные монокристаллические пленки большой площади толщиной 2-20 мкм [1, 2]. В данной работе представлены варианты использования тонкопленочных структур, полученных методом отделяемого роста для изготовления СЭ и СВЧ диода.

Исходный тонкопленочный материал как для СЭ так и для СВЧ диода синтезировали методом отделяемого роста в процессе жидкофазной эпитаксии из расплава состава Sn+Ga (10-15 ат.%) + АІ (0,1-0,2 ат.%) принудительным охлаждением со скоростью 6 К/мин в температурном интервале от 850-1000 до 300 К. Подложками служили диски из полуизолирующего арсенида галлия диаметром 23-25 мм, толщиной 1,35 мм с ориентацией рабочей поверхности по плоскостям (100) и (111)А.

Сразу после приведения затравочной подложки в контакт с расплавом происходила кристаллизация отделенной от этой подложки пленки широкозонного твердого раствора AlGaAs, состав которой в процессе последующего охлаждения изменялся до GaAs. Толщины слоев AlGaAs и GaAs, а также распределение концентрации носителей тока в слоях зависели от начальной температуры выращивания и состава жидкой фазы. Площадь полученных структур достигала 4 см2.

Изучение распределения концентрации электронов и состава твердого раствора по толщине структур, выращенных из раствора-расплава Sn + Ga(10 ат.%) + АІ(0,18 ат.%) в температурном интервале от 950 до 300 К, показали, что для них характерно резкое изменение состава прямозонного твердого раствора, происходящее на толщине около 0,1 мкм, связанное с аномально высоким значением коэффициента распределения А1 в используемой системе, а также резкое изменение концентрации доноров (более чем на два поряка) в поверхностном слое структуры, обусловленное температурной зависимостью коэффициента распределения олова в арсениде галлия.

Качество полученного материала проверяли методами рентгеновской дифракции и фотолюминесценции. Сравнение спектров фотолюминесценции, снятых при комнатной температуре с отделенной пленки и эпитаксиального слоя GaAs, выращенного традиционым методом непосредственно на подложке, легированных оловом до одинаковой концентрации, показало, что в два раза более высокая интенсивность люминесценции отделенной пленки свидетельствует о ее кристаллическом совершенстве.

Для формирования структуры СЭ на поверхность выращенных пленок на поверхность выращенных пленок методом химического осаждения наносили слой Аu толщиной 10 нм и формировали фронтальный сетчатый контакт с размером ячеек 1x1 мм2 и шириной контактных полос, равной 0,05 мм. Основные этапы изготовления СЭ с барьером Шоттки отображены на рис. 1, где а - выращивание исходной эпитаксиальной структуры; б формирование Аu-барьера и фронтального контакта; в - присоединение структуры к стеклянной подложке с совмещенным контактом; г - удаление затравочной подложки и формирование тыльного контакта. Все операции, включая отделение структуры от затравочной подложки, проводили при комнатной температуре. На рис. 2 приведена зонная диаграмма структуры с барьером Шоттки, имеющая встроенное электрическое поле Е(х) = -(кТ/q)dln(Nd(x)/dx у освещаемой поверхности, которое позволяет существенно снизить туннельные токи утечки и отражающий барьер, образованный скачком химического состава у ее тыльной стороны.

1 – пленочная структура, 2 – расплав, Рисунок 2 – Зонная диаграмма тонкоподложка GaAs : 4 – вторичная подложка пленочного СЭ с барьером Шоттки Рисунок 1 – Этапы изготовления тонкопленочного СЭ При изменении фотоэлектрических характеристик структуры Аu/n - GaAs/n+ - GaAs/n - AlGaAs (рис. 3, 4) получены высокие значения ЭДС холостого хода, достигающие на отдельных образцах 0,75 В. КПД структур с неоптимизированным просветляющим покрытием из Si3N4 составил 10,2 % при освещении вольфрамовой лампой с Р=100 мВт/см2.

Созданный тонкопленочный СЭ отличается высокими удельными весовыми характеристиками. Так, при использовании в качестве вторичной подложки кварцевой пластины толщиной 100 мкм и GaAs-структуры толщиной 10 мкм удельная весовая мощность возрастает в 7 раз по сравнению с СЭ из GaAs толщиной 400 мкм при той же эффективности преобразования.

При многократном использовании одной и той же монокриcталлической затравочной подложки СЭ будет иметь низкую стоимость. Простейшим вариантом, реализующим это условие и вписывающимся в существующую технологию, является удаление нарушенного слоя подложки путем механической и химической полировки. Эксперименты показали, что снижение толщины подложки на один цикл выращивания составляет примерно 30 мкм.

Подложка толщиной 1,35 мм может быть использована (до конечной толщины 200 мкм) для выращивания около 40 тонкопленочных структур.

Рисунок 3 – Световая (1) и темновая (2) Рисунок 4 – Спектр фоточувствительвольт-амперные характеристики ТП СЭ ности ТП ФП Выращенные по этой технологии тонкопленочные структуры могут быть использованы в качестве базовых при изготовлении дешевых и эффективных солнечных элементов.

Для изготовления СВЧ барьерных структур, выращенная пленка толщиной ~6 мкм снималась с подложки после нагрева до температуры плавления промежуточного металлического слоя Sn путем сдвига в специальном устройстве. Остатки металларастворителя удаляли травлением в концентрированной соляной кислоте. После этого на лицевой стороне пленки формировали омический контакт термическим испарением в вакууме сплава Au-Ge (90 : 10) толщиной 0,1 мкм и вакуумным отжигом при 450 оС в течение 10 минут. Барьер Ме/GaAs создавали термическим вакуумным испарением алюминия толщиной 0,1 мкм через маску с диаметром ячеек 150 мкм. На изготовленных таким образом приборах измерялись зависимости выпрямленного тока и напряжения от частоты и мощности сигнала. Измерения проводились на высокочастотном генераторе сигналов Г4-124. Для этого к выходу генератора присоединялась полосковая линия длиной 4см. и Диод, размещенный в держателе, устанавливался вблизи линии и ориентировался на максимум выходного сигнала. Т.о. передача энергии осуществлялась посредством емкостной связи.

На рисунке 5 приведены зависимости выходного тока планарного диода Шоттки с диаметром мезы 150мкм в зависимости от выходной мощности генератора, выраженной в процентах от максимальной для разных частот сигнала.

Зависимость выходного тока от относительной мощности для планарного диода Шоттки при различных частотах (рисунок 5) имеет линейный характер для частот 4,3 ГГц и 4,73 ГГц. В то же время слабо экспоненциальный рост с мощностью сигнала наблюдается при более высоких частотах – 5,05 ГГц и 5,22 ГГц. С ростом частоты выходной уровень детектируемого сигнала быстро падает, а уровень выходного сигнала очень мал, что связано с большой емкостью диода находящейся в пределах 15- 20 пикофарад. Таким образом, для работы на частотах более 1 гигагерца необходимо уменьшать площадь контакта, что может быть достигнуто применением техники фотолитографии.

Для лучшего понимания природы барьеров и полученных экспериментальных данных были исследованы вольтфарадные характеристики планарного, точечно-контактного и смесительного (3А117А) диодов. Зависимости емкости от напряжения снимались на цифровом измерителе L,C,R – Е7-12 в диапазоне напряжения смещения р-п-перехода от -1 до +1В. На рисунке 6, а, б приведены соответственно зависимости 1/С2 от приложенного к переходу напряжения для планарной структуры, точечно-контактного диода и смесительного диода 3А117А.

Как можно видеть из рисунка 6 зависимости емкости от напряжения имеют сходный характер. В первом приближении они могут быть представлены двумя прямыми с разным углом наклона. Точка перегиба в обоих случаях находится при напряжении +0,4 В.

1/C2(pF-2) Рисунок 6 - Зависимости 1/С2 от приложенного к переходу напряжения для планарной структуры на различных участках пленки GaAs (а) смесительного диода 3А117А (б) Различие между кривыми на рисунке 6, а можно объяснить некоторой поверхностной неоднородностью тонкопленочного образца по составу, хотя такой разброс может быть связан и с различным усилием прижима зонда к алюминиевой площадке, которое не контролировалось. Ступенька при 0 В на рисунке 6,б связана с изменением геометрии измерительной схемы при смене полярности напряжения смещения.

Полученные результаты показывают перспективность применения отделяемой технологии для создания приборов микро- и оптоэлектроники.

1. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И., Байганатова Ш.Б. Изучение формирования свободно расположенных пленок арсенида галлия в условиях раствор-расплавной кристаллизации // Вестник КазНУ, сер.Физическая.- №1(19), 2005.- С.70-75.

2. Антощенко В.С., Таурбаев Т.И. Аномальный рост монокристаллических пленок при жидкостной эпитаксии // Электронная техника. Сер.6, Материалы, Вып.2(201), 1985.С.54-58.

AlAs-GaAs БЛІНІП АЛЫНАТЫН АБЫШАЛАРДЫ НЕГІЗІНДЕ ЖАРТЫЛАЙ

ТКІЗГІШТІКTI РАЛДАРДЫ ЖАСАУ ЖНЕ ОЛАРДЫ ПАРАМЕТРЛЕРІ ЗЕРТТЕУ



Pages:   || 2 | 3 | 4 |


Похожие работы:

«Департамент семейной и молодежной политики города Москвы РЕЕСТР социально значимых программ и проектов сферы досуговой и социально-воспитательной работы с населением по месту жительства По итогам проведения Городского смотра-конкурса на лучшую организацию досуговой и социально-воспитательной работы с населением по месту жительства и Конкурса социально значимых проектов негосударственных некоммерческих организаций по социально-воспитательной и досуговой работе с населением по месту жительства...»

«Оглавление ПРЕЗИДЕНТ Президент увеличил денежное вознаграждение высокопоставленным чиновникам Путин: Производительность труда в РФ должна расти вдвое быстрее Путин: Монополии при заморозке тарифов должны реализовать инвестпрограммы Путин поручил правительству защитить интересы российских производителей Кремль возьмется за разработку приоритетов культурной политики ГОСУДАРСТВЕННАЯ ДУМА ФС РФ В Госдуму внесен проект федерального бюджета на 2014-2016 годы ГД поддерживает исключение прописки из...»

«1 Музыка Поурочное планирование I КЛАСС Задача 1 класса: Систематизировать жизненно-музыкальный опыт детей; Развитие эмоционально-осознанного отношения к музыкальным произведениям; - Понимание их жизненного и духовно-нравственного содержания; - Освоение музыкальных жанров: простых (песня, танец, марш) и более сложных (опера, балет, симфоническая музыка); - Изучение особенностей музыкального языка. - I КЛАСС - Цель учебника-тетради для I класса четырехлетней начальной школы — ввести ребенка в...»

«1. Общие положения организационно-правового обеспечения образовательной деятельности Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Омский государственный институт сервиса (ФГБОУ ВПО ОГИС) является некоммерческой организацией, созданной для достижения образовательных, научных, социальных, культурных и управленческих целей, в целях удовлетворения духовных и иных нематериальных потребностей граждан в образовании, а также в иных целях,...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Амурский государственный университет Кафедра Конструирования и технологии одежды (наименование кафедры) УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ Патеноведение_ (наименование дисциплины) Основной образовательной программы по специальностям 260901.65 Технология швейных изделий_ (код и наименование специальности) Благовещенск 2011 2 1. Рабочая...»

«ПСИХОЛОГИЯ ЗДОРОВЬЕ НЕТРАДИЦИОННАЯ МЕДИЦИНА ЖИЗНЕННЫЙ УСПЕХ САМООБРАЗОВАНИЕ Стивен Р. КОВИ СЕМЬ НАВЫКОВ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ЛЮДЕЙ ВОЗВРАТ К ЭТИКЕ ХАРАКТЕРА ОТЗЫВЫ НА КНИГУ СТИВЕНА КОВИ СЕМЬ НАВЫКОВ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ЛЮДЕЙ На пороге XXI век. И мы должны сделать все возможное, чтобы Россия вошла в него с уверенностью и оптимизмом. Я верю, что ключом к этому является обращение к лучшим традициям духовной жизни и честного предпринимательства. Книга Стивена Кови, впитавшая мировой опыт достижения...»

«Рабочая программа по курсу Окружающий мир 2 класс Пояснительная записка Статус документа Рабочая программа курса Окружающий мир для 2 класса составлена на основе стандарта начального общего образования по окружающему миру и программы общеобразовательных учреждений авторов А. А. Плешакова, М. Ю. Новицкая Окружающий мир. 1 – 4 классы (2007). Особенность данной программы состоит в том, что она создана с опорой на культурологические принципы, понятия, категории, которые являются основой для...»

«Вестник археологии, антропологии и этнографии. 2011. № 1 (14) ЖЕНСКИЕ ПОГРЕБЕНИЯ С ОРУЖИЕМ: РЕАЛИИ ЖИЗНИ ИЛИ ОТОБРАЖЕНИЕ СОЦИАЛЬНОЙ ИДЕНТИЧНОСТИ? (по материалам саргатской культуры) Н.А. Берсенева Погребения женщин с предметами вооружения являются панкультурным феноменом для обществ степной/лесостепной полосы Евразии раннего железного века. Предлагаемая статья посвящена систематизации и интерпретации женских захоронений с оружием саргатской культуры Зауралья и Западной Сибири. Включение...»

«Аукционный дом КАБИНЕТЪ 182 Бартольд В.В. Культура мусульманства. Пг., издательство Огни, 1918. Формат издания: 21,5 х 15 см. 111 с., [4], 1 разворот Рисунок заглавной страницы исполнен художником Д.И. Митрохиным. Экземпляр в современном коленкоровом переплете с золотым тиснением по корешку и обложке, следы реставрации по корешку. 16 000 – 20 000 руб. 183 Перетц Маркиш. Пороги. Сборник стихов. Киев, 1919. Формат издания: 22 х 14 см. 163 с., [5] Первый сборник стихов. Оформление художника И....»

«ОООП Литературный фонд России Ростовское региональное отделение Союз писателей России Ростовское региональное отделение Союз российских писателей Ростовское региональное отделение Литературно-художественный альманах Юга России ДОН и КУБАНЬ №1 (7) март 2010 г ======================================================== Главный редактор Г.В. Студеникина. Редакционная коллегия: А. Г. Береговой, Ростов-на-Дону. В. А. Воронов, Ростов-на-Дону. Н. И. Дорошенко, Москва. Н.А. Зиновьев, Кореновск...»

«ЭТНОС И КУЛЬТУРА © ЭО, 2005 г., № 1 В. В. Т р е п а в л о в О Б Р А З РУССКИХ В ПРЕДСТАВЛЕНИЯХ НАРОДОВ РОССИИ XVII-XVIII вв.* В результате расширения Российского государства, особенно со второй половины XVI в., русские вступили в общение с народами присоединенных территорий. Первоначальные точечные контакты со временем стали массовыми и повседневными. Характер этих контактов (мирный или враждебный), содержание (хозяйственное или политическое), социальный уровень (элитный или всеобщий) зависели...»

«Номинация Долина реки Бикин (расширение объекта всемирного наследия Центральный Сихотэ-Алинь) (РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ) Для включения в СПИСОК ВСЕМИРНОГО КУЛЬТУРНОГО И ПРИРОДНОГО НАСЛЕДИЯ ЮНЕСКО Подготовлено: • Фондом Охрана природного наследия • Институтом Географии РАН • Бюро региональных общественных кампаний (БРОК), Владивосток • РНИИ культурного и природного наследия им. Д.С. Лихачева • Ассоциацией коренных малочисленных народов Севера, Сибири и Дальнего Востока РФ При поддержке: • Амурского...»

«ВНУТРЕННИЙ ПРЕДИКТОР СССР Сад растёт сам?. _ Об этике, управленческом профессионализме, о полной функции управления на Руси и в США, об общем кризисе капитализма и марксизме, о теории, практике, проблемах и перспективах конвергенции и о некоторых других частностях в течении глобального историко-политического процесса. Санкт-Петербург 2009 г. © Публикуемые материалы являются достоянием Русской культуры, по какой причине никто не обладает в отношении них персональными авторскими правами. В случае...»

«HEIMOHOFMEISTER PHILOSOPHISCHDENKEN Серия ПРОФЕССОРСКАЯ БИБЛИОТЕКА ХАЙМО ХОФМАЙСТЕР ЧТО ЗНАЧИТ МЫСЛИТЬ ФИЛОСОФСКИ ИЗДАТЕЛЬСТВО С.-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2006 ББК87.2 Серия Х85 Профессорская библиотека Редакционная коллегия: А.С.Васильев, Л. Г. Ионин, B. Ю. Мелетинский, А. М. Пятигорский, А. М. Руткевич, К. А. Свасьян, Р. В. Светлов, C.С. Хоружий, Д. В. Шмонин Серия Профессорская библиотека учреждена совместно с издательством Академия исследований культуры В оформлении обложки использована...»

«Генеральная конференция 30 С 30-я сессия, Париж, 1999 г. 30 С/63 (30 С/COM.III/2) 15 ноября 1999 г. Оригинал: английский/ французский ПРОЕКТ ДОКЛАДА КОМИССИИ III (i) СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ Пункт 3.3 Рассмотрение и утверждение Проекта программы и бюджета на 2000гг. Часть II.А: Крупная программа II - Наука на службе развития Программа II.1 - Продвижение, передача и совместное использование знаний; подпрограммы II.1.1, II.1. и Пункт 4.6 Декларация о наук е и использовании научных знаний, а также...»

«ФИЛИАЛ РОССИЙСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ФИЗИЧЕСКОЙ КУЛЬТУРЫ, СПОРТА, МОЛОДЕЖИ И ТУРИЗМА В Г. ИРКУТСКЕ М. М. Журавлева АНИМАЦИЯ В РЕКРЕАЦИИ И ТУРИСТСКОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ Курс лекций Иркутск 2011 УДК 379.81 ББК 77.02-77.04 Ж 91 Печатается по решению научно-методического совета Филиала федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования Российский государственный университет физической культуры, спорта, молодежи и туризма (ГЦОЛИФК) в г....»

«Апологетика Прот. В. Зеньковский Париж 1957 Содержание: Введение. Борьба веры и неверия. Отрыв от Церкви. Рационализм. Значение веры для человека. Вера соединима со знанием, с культурой. Основные темы апологетики. Вопрос о Церкви. Часть I. Христианская Вера и Современное Знание. 1. Общие Основы Христианского Понимания Мира. Священное Писание, как источник христианской истины. Основные идеи Библии о мире сводятся к следующему: Различие 1-й и 2-й главы в книге Бытия. Грехопадение прародителей....»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СОЦИОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ А. Н. Алексеев Драматическая социология и социологическая ауторефлексия Том 1 Санкт-Петербург 2003 ББК 60.5 А 49 Издание осуществлено при финансовой поддержке Российского Фонда фундаментальных исследований (издательский проект 02-06-87008) Алексеев А. Н. А 49 Драматическая социология и социологическая ауторефлексия. Том 1. — СПб.: Норма, 2003. — 592 с. ISBN 5-87857-068-8 В этой книге отражены профессиональные и жизненные поиски авторасоциолога,...»

«Липецкая областная универсальная научная библиотека Научно-методический отдел ОГНЕВА Е. М. ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ БИБЛИОТЕК ЛИПЕЦКОЙ ОБЛАСТИ В 2013 ГОДУ Липецк 2014 1 ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ БИБЛИОТЕК ЛИПЕЦКОЙ ОБЛАСТИ В 2013 ГОДУ Библиотечная сеть Липецкой области составляет 513 публичных библиотек, из них 4 – областные, остальные – муниципальные. 445 из них находятся в сельской местности, 421 являются сельскими библиотеками. Библиотеки городов Липецка и Ельца объединены в централизованные библиотечные системы, ЦБС...»

«Министерство культуры и туризма Свердловской области ГКУК СО Свердловская областная межнациональная библиотека Взаимодействие библиотек и учебных заведений по воспитанию толерантности и профилактики экстремизма Екатеринбург, 2012 ББК 74.200.61 + 78.349 В 40 Редакционная коллегия: Автух Ф. Р. Колосов Е. С. Кузнецова Е. Н. Лебедева Т. В. Шурманова Т. В. Взаимодействие библиотек и учебных заведений по воспитанию толерантности и профилактике экстремизма : методические рекомендации / авт.-сост. Е....»






 
© 2014 www.kniga.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, пособия, учебники, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.